Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сошников Илья Петрович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 48
Научных статей: 48

Статистика просмотров:
Эта страница:666
Страницы публикаций:7770
Полные тексты:3789

https://www.mathnet.ru/rus/person103092
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. А. С. Власов, Л. Б. Карлина, Р. В. Левин, В. В. Лысак, М. В. Учаев, И. П. Сошников, “Одно- и двухстадийный рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы”, Физика и техника полупроводников, 60:2 (2026),  73–78  mathnet
2. Р. Р. Резник, А. С. Андреева, К. П. Котляр, И. В. Илькив, В. В. Лендяшова, В. О. Гридчин, П. А. Манташян, А. В. Сюй, А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, “Аксиальные гетероструктуры на основе InAs/AlGaAs нитевидных нанокристаллов, полученные с помощью низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 52:15 (2026),  49–52  mathnet  elib
2025
3. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Р. В. Левин, И. П. Сошников, “Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  265–269  mathnet
4. В. Ю. Аксенов, А. С. Власов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Н. В. Павлов, Е. В. Пирогов, Р. А. Салий, И. П. Сошников, А. С. Щенин, А. М. Минтаиров, “Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135  mathnet
5. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. В. Малевская, В. В. Забродский, И. П. Сошников, “Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49  mathnet  elib
2024
6. А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, “Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6  mathnet  elib
2023
7. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. В. Илькив, А. В. Вершинин, И. П. Сошников, “Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  530–533  mathnet  elib
8. В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35  mathnet  elib
2022
9. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Токарев, И. П. Сошников, “Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087  mathnet  elib
2021
10. И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 3
11. И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624  mathnet  elib; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 2
12. Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 1
2020
13. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
14. Е. В. Фомин, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinari, T. Maurer, Н. А. Пихтин, “Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  16–19  mathnet  elib; E. V. Fomin, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinary, T. Maurer, N. A. Pikhtin, “Using AlN coatings to protect the surface of AlGaAs/GaAs system heterostructures from interaction with atmospheric oxygen”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 268–271 1
2019
15. А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 16
16. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717  mathnet  elib; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 2
17. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
2018
18. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 30
19. С. К. Евстропьев, А. С. Кулагина, К. С. Евстропьев, Е. В. Колобкова, Н. В. Никоноров, И. П. Сошников, К. В. Орешкина, А. И. Хребтов, “Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  608–614  mathnet  elib; S. K. Evstropiev, A. S. Kulagina, K. S. Evstropyev, E. V. Kolobkova, N. V. Nikonorov, I. P. Soshnikov, K. V. Oreshkina, A. I. Khrebtov, “The influence of polyvinylpyrrolidone molecular weight on the structure and the spectral and nonlinear optical properties of composite materials with CdS/ZnS nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 640–645 3
20. Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
21. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
22. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 3
23. Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249  mathnet  elib; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 3
24. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 3
25. P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 6
26. I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608
27. Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200  mathnet  elib; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 7
28. Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 14
2017
29. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 2
2016
30. И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 2
31. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 11
32. И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
33. Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
34. С. К. Евстропьев, И. П. Сошников, А. И. Хребтов, “Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  49–55  mathnet  elib; S. K. Evstropiev, I. P. Soshnikov, A. I. Khrebtov, “The formation of ZnO-based coatings from solutions containing high-molecular polyvinylpyrrolidone”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 468–470 4
2015
35. Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79  mathnet  elib; R. V. Grigor'ev, I. V. Shtrom, N. R. Grigor'eva, B. V. Novikov, I. P. Sotnikov, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447 6
2013
36. И. П. Сошников, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, “Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах”, Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, “Growth specifics of GaAs nanowires in mesa”, Phys. Solid State, 55:4 (2013), 702–706
37. И. П. Сошников, В. А. Петров, Ю. Ю. Проскуряков, Д. А. Кудряшов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, R. Treharne, K. Durose, “Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  865–868  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, Yu. Yu. Proskuryakov, D. A. Kudriashov, A. V. Nashchekin, G. È. Cirlin, R. Treharne, K. Durose, “Formation of structures with noncatalytic CdTe nanowires”, Semiconductors, 47:7 (2013), 875–878 3
2012
38. В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503  mathnet  elib; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 9
2011
39. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. Khrebtov, E. M. Tanklevskaya, I. A. Seleznev, “Piezoelectric effect in GaAs nanowires”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1082–1084 10
40. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, G. È. Cirlin, V. A. Petrov, E. M. Tanklevskaya, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, A. I. Khrebtov, V. M. Ustinov, “Fabrication of ordered GaAs nanowhiskers using electron-beam lithography”, Semiconductors, 45:6 (2011), 822–827 2
2009
41. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. М. Надточий, В. Г. Дубровский, М. А. Букин, В. А. Петров, В. В. Бусов, С. И. Трошков, “Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 43:7 (2009),  938–942  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, A. M. Nadtochiy, V. G. Dubrovskii, M. A. Bukin, V. A. Petrov, V. V. Busov, S. I. Troshkov, “Properties of GaAsN nanowires grown by magnetron-sputtering deposition”, Semiconductors, 43:7 (2009), 906–910
2008
42. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  88–94  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Hexagonal structures in GaAs nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 538–541 10
43. А. Т. Галисултанов, И. А. Фёдоров, Н. В. Сибирёв, И. П. Сошников, В. Г. Дубровский, “Влияние атмосферы в ростовой камере на распределение температуры в нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  34–41  mathnet  elib; A. T. Galisultanov, I. A. Fedorov, N. V. Sibirev, I. P. Sotnikov, V. G. Dubrovskii, “Effect of growth atmosphere on the temperature profile along a nanowhisker”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 512–515 2
2007
44. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, В. Н. Неведомский, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 49:8 (2007),  1373–1377  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, A. A. Tonkikh, V. N. Nevedomskiy, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “Electron diffraction on GaAs nanowhiskers grown on Si(100) and Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 49:8 (2007), 1440–1445 11
2006
45. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, А. В. Веретеха, А. Г. Гладышев, В. М. Устинов, “Исследование основных закономерностей формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 48:4 (2006),  737–741  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, A. V. Veretekha, A. G. Gladyshev, V. M. Ustinov, “Formation of GaAs nanowhisker arrays by magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 48:4 (2006), 786–791 7
46. И. П. Сошников, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, В. Т. Барченко, А. В. Веретеха, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов на подложке Si (111) методом магнетронного осаждения”, Письма в ЖТФ, 32:12 (2006),  28–33  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, V. T. Barchenko, A. V. Veretekha, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “Growth of GaAs nanowhisker arrays by magnetron sputtering on Si(111) substrates”, Tech. Phys. Lett., 32:6 (2006), 520–522 6
47. Н. В. Сибирёв, И. П. Сошников, В. Г. Дубровский, Е. Аршанский, “Анализ распределения температуры по длине нитевидных нанокристаллов, выращиваемых в высоковакуумных условиях”, Письма в ЖТФ, 32:7 (2006),  28–35  mathnet  elib; N. V. Sibirev, I. P. Sotnikov, V. G. Dubrovskii, E. Arshanskii, “Temperature profile along a nanowhisker growing in high vacuum”, Tech. Phys. Lett., 32:4 (2006), 292–295 10
2002
48. Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов, Д. Литвинов, Д. Гертцен, И. П. Сошников, В. М. Устинов, “Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216  mathnet; G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  scopus 8

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026