|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1401–1407   ; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 |
5
|
|
2002 |
| 2. |
К. А. Булашевич, В. В. Роткин, “Приборы на нанотрубках: микроскопическая модель”, Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002), 239–244 ; K. A. Bulashevich, V. V. Rotkin, “Nanotube devices: A microscopic model”, JETP Letters, 75:4 (2002), 205–209  |
39
|
|
