|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. П. Калинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 656–663   ; I. P. Kalinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Effect of chemical treatment of a silicon surface on the quality and structure of silicon-carbide epitaxial films synthesized by atom substitution”, Semiconductors, 52:6 (2018), 802–808 |
19
|
|
1992 |
| 2. |
А. П. Беляев, В. П. Рубец, Х. А. Тошходжаев, И. П. Калинкин, “Инжекционно-контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1755–1759 |
|
|
|
1986 |
| 3. |
А. В. Гусев, А. В. Елисеев, И. П. Калинкин, В. Т. Барченко, “Баланс мощности в системе "плазма низкого давления – мелкодисперсный материал" (№ 3244-86 Деп. от 6.V.1986)”, ТВТ, 24:5 (1986), 1036 |
|
