|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. А. Шашкин, С. В. Кравченко, “Коллективный депиннинг и скольжение двумерного квантового электронного твердого тела в полупроводниках (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 122:6 (2025), 354–364  |
|
2022 |
| 2. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. В. Кравченко, “Уплощение зон и слияние уровней Ландау в сильно коррелированных двумерных электронных системах (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 159–170 ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, “Band flattening and Landau level merging in strongly-correlated two-dimensional electron systems”, JETP Letters, 116:3 (2022), 156–166 |
4
|
|
2018 |
| 3. |
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822  ; V. T. Dolgopolov, M. Yu. Melnikov, A. A. Shashkin, S.-H. Huang, C. W. Liu, S. V. Kravchenko, “Fractional quantum Hall effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells in weak quantizing magnetic fields”, JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797   |
4
|
|
2014 |
| 4. |
M. Yu. Mel'nikov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, S.-H. Huang, S. W. Liu, “The effective electron mass in high-mobility SiGe/Si/SiGe quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 122–127 ; JETP Letters, 100:2 (2014), 114–119 |
16
|
|
