|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424   ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
| 2. |
М. Л. Орлов, Н. С. Волкова, Н. Л. Ивина, Л. К. Орлов, “Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014 ; M. L. Orlov, N. S. Volkova, N. L. Ivina, L. K. Orlov, “Electric-field behavior of the resonance features of the tunneling photocurrent component in InAs(QD)/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1129–1136 |
2
|
| 3. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655 ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
|
2015 |
| 5. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1640–1643 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Effect of the deposition of cobalt on the optoelectronic properties of quantum-confined In(Ga)As/GaAs heteronanostructures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1592–1595 |
3
|
| 6. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, Д. В. Гусейнов, В. Н. Трушин, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, М. М. Иванова, А. В. Круглов, Д. О. Филатов, “Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1411–1414 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 |
9
|
| 7. |
Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. В. Гусейнов, Н. А. Алябина, М. М. Иванова, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, “Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405 ; D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 |
5
|
| 8. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Д. О. Филатов, “Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142 |
|
2014 |
| 9. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161   |
11
|
|
2013 |
| 10. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, “Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1609–1612 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, “Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1583–1586 |
|
2012 |
| 11. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова, “Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, N. S. Volkova, “Effect of He$^+$ ion irradiation on the photosensitivity spectra of In(Ga)As/GaAs quantum well and quantum dot heterostructures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509 |
2
|
|
