|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. Е. Жилицкий, А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением”, Письма в ЖЭТФ, 121:12 (2025), 945–951  ; V. P. Popov, V. A. Antonov, V. E. Zhilitskii, A. A. Lomov, A. V. Myakonkikh, K. V. Rudenko, “Thermally stable ferroelectric HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) in silicon-on-insulator and silicon-on-sapphire heterostructures after rapid thermal annealing treatments and oxidation-induced silicon thinning”, JETP Letters, 121:12 (2025), 902–908 |
|
2023 |
| 2. |
О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Деградация значения сопротивления в низкоомном состоянии в структуре на основе HfO$_2$/HfO$_X$N$_Y$”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 451–454  |
|
2018 |
| 3. |
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1573–1580 ; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Atomic layer deposition of thin films onto 3$D$ nanostructures: the effect of wall tilt angle and aspect ratio of trenches”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1525–1532 |
2
|
| 4. |
А. В. Фадеев, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1264–1272 ; A. V. Fadeev, K. V. Rudenko, “Analytical model for atomic-layer deposition of thin films on the walls of cylindrical holes with a relatively high aspect ratio”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1228–1235 |
3
|
| 5. |
А. В. Фадеев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения пленок на 3D-структурах с высоким аспектным отношением”, ЖТФ, 88:2 (2018), 243–250 ; A. V. Fadeev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, “Analytical model of atomic layer deposition of films on 3D structures with high aspect ratios”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 235–242 |
7
|
|
2016 |
| 6. |
В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Э. Д. Жанаев, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, А. В. Глухов, “Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al$_{2}$O$_{3}$, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 643–649 ; V. P. Popov, M. A. Ilnitskii, E. D. Zhanaev, A. V. Myakon'kikh, K. V. Rudenko, A. V. Glukhov, “Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al$_{2}$O$_{3}$ dielectric protective layer”, Semiconductors, 50:5 (2016), 632–638 |
16
|
|
