|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 314–318   ; A. O. Zahar'in, A. V. Bobylev, S. V. Egorov, A. V. Andrianov, “Terahertz emission upon the band-to-band excitation of Group-IV semiconductors at room temperature”, Semiconductors, 49:3 (2015), 305–308 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775   |
6
|
|
2012 |
| 3. |
А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, А. В. Андрианов, “Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1158–1162 ; A. O. Zahar'in, A. V. Bobylev, A. V. Andrianov, “Terahertz emission upon the interband excitation of GaN layers”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1135–1139 |
19
|
|
