Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Самсоненко Юрий Борисович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 34
Научных статей: 34

Статистика просмотров:
Эта страница:397
Страницы публикаций:6962
Полные тексты:3386
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person113872
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, С. А. Кадинская, В. М. Кондратьев, А. Д. Большаков, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, Ю. Б. Самсоненко, И. В. Штром, “Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом”, Физика твердого тела, 66:1 (2024),  17–21  mathnet  elib
2019
2. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
2018
3. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 3
4. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 12
5. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
2017
6. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
7. В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77  mathnet  elib; V. G. Talalaev, V. I. Shtrom, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813 2
2016
8. И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
9. Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
10. А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678  mathnet  elib; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 10
2015
11. V. N. Trukhin, A. S. Buyskih, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, Yu. B. Samsonenko, A. V. Trukhin, G. E. Cirlin, M. A. Kaliteevski, D. A. Zeze, A. J. Gallant, “Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:5 (2015), 316–320  isi  elib  scopus 3
12. Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79  mathnet  elib; R. V. Grigor'ev, I. V. Shtrom, N. R. Grigor'eva, B. V. Novikov, I. P. Sotnikov, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447 6
2014
13. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 2
14. А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, Ю. Б. Самсоненко, P. Werner, В. В. Руцкая, М. В. Артемьев, Г. Э. Цырлин, “Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния”, Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, Yu. B. Samsonenko, P. Werner, V. V. Rutskaya, M. V. Artem'ev, G. È. Cirlin, “A hybrid system of GaAs whisker nanocrystals and PbS quantum dots on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 558–561 3
2013
15. М. Б. Смирнов, А. О. Кошкин, С. В. Карпов, Б. В. Новиков, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs”, Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141  mathnet  elib; M. B. Smirnov, A. O. Koshkin, S. V. Karpov, B. V. Novikov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Computer simulation of the structure and Raman spectra of GaAs polytypes”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1220–1230 4
16. И. П. Сошников, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, “Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах”, Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, “Growth specifics of GaAs nanowires in mesa”, Phys. Solid State, 55:4 (2013), 702–706
17. Н. В. Сибирев, А. Д. Буравлев, Ю. М. Трушков, Д. В. Безнасюк, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. D. Bouravlev, Yu. M. Trushkov, D. V. Beznasyuk, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Effect of an arsenic flux on the molecular-beam epitaxy of self-catalytic (Ga,Mn)As nanowire crystals”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1416–1421 3
18. А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, V. N. Nevedomskiy, E. V. Ubyivovk, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “(In,Mn)As quantum dots: Molecular-beam epitaxy and optical properties”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1037–1040 6
19. А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, D. V. Beznasyuk, E. P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, I. V. Shtrom, M. A. Timofeeva, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, G. È. Cirlin, “Photovoltaic properties of GaAs:Be nanowire arrays”, Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811 3
2012
20. В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503  mathnet  elib; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 9
21. А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, “Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462 3
2011
22. С. В. Карпов, Б. В. Новиков, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$”, Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366  mathnet  elib; S. V. Karpov, B. V. Novikov, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Specific features of Raman spectra of III–V nanowhiskers”, Phys. Solid State, 53:7 (2011), 1431–1439 7
23. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. Khrebtov, E. M. Tanklevskaya, I. A. Seleznev, “Piezoelectric effect in GaAs nanowires”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1082–1084 10
24. А. О. Голубок, Ю. Б. Самсоненко, И. С. Мухин, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083  mathnet  elib; A. O. Golubok, Yu. B. Samsonenko, I. S. Mukhin, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Growth of single GaAs nanowhiskers on the tip of a tungsten needle and their electrical properties”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1049–1052
25. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, G. È. Cirlin, V. A. Petrov, E. M. Tanklevskaya, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, A. I. Khrebtov, V. M. Ustinov, “Fabrication of ordered GaAs nanowhiskers using electron-beam lithography”, Semiconductors, 45:6 (2011), 822–827 2
26. Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Н. К. Поляков, В. П. Улин, В. Г. Дубровский, P. Werner, “Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445  mathnet  elib; Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, N. K. Polyakov, V. P. Ulin, V. G. Dubrovskii, P. Werner, “Study of processes of self-catalyzed growth of gaas crystal nanowires by molecular-beam epitaxy on modified Si (111) surfaces”, Semiconductors, 45:4 (2011), 431–435 19
2010
27. В. Г. Талалаев, А. В. Сеничев, Б. В. Новиков, J. W. Tomm, T. Elsaesser, Н. Д. Захаров, P. Werner, U. Gösele, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092  mathnet  elib; V. G. Talalaev, A. V. Senichev, B. V. Novikov, J. W. Tomm, T. Elsaesser, N. D. Zakharov, P. Werner, U. Gösele, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “InGaAs tunnel-injection structures with nanobridges: Excitation transfer and luminescence kinetics”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1050–1058 4
28. П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. Н. Титков, “Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641  mathnet  elib; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, A. N. Titkov, “Current-voltage characteristics of silicon-doped GaAs nanowhiskers with a protecting AlGaAs coating overgrown with an undoped GaAs layer”, Semiconductors, 44:5 (2010), 610–615 8
29. Н. В. Сибирев, М. В. Назаренко, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский, “Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of growth of crystalline nanowhiskers”, Semiconductors, 44:1 (2010), 112–115 11
2009
30. Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, Е. Б. Аршанский, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)”, ЖТФ, 79:4 (2009),  142–145  mathnet  elib; N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, E. B. Arshanskii, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “On diffusion lengths of Ga adatoms on AlAs(111) and GaAs(111) surfaces”, Tech. Phys., 79:4 (2009), 586–589 8
2008
31. Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Н. К. Поляков, В. П. Улин, В. Г. Дубровский, “Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1478–1482  mathnet  elib; Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, V. P. Ulin, V. G. Dubrovskii, “Specific features of formation of GaAs nanowire crystals during molecular beam epitaxy on different silicon surfaces”, Semiconductors, 42:12 (2009), 1445–1449 3
32. Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения”, Физика и техника полупроводников, 42:11 (2008),  1286–1290  mathnet  elib; N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, G. È. Cirlin, V. A. Egorov, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “Deposition-rate dependence of the height of GaAs-nanowires”, Semiconductors, 42:11 (2008), 1259–1263 4
33. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  88–94  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Hexagonal structures in GaAs nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 538–541 10
2007
34. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, В. Н. Неведомский, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 49:8 (2007),  1373–1377  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, A. A. Tonkikh, V. N. Nevedomskiy, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “Electron diffraction on GaAs nanowhiskers grown on Si(100) and Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 49:8 (2007), 1440–1445 11

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026