Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Цырлин Георгий Эрнстович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 102
Научных статей: 102

Статистика просмотров:
Эта страница:595
Страницы публикаций:24509
Полные тексты:11825
доктор физико-математических наук (2001)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:
Сайт: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_staff_ru.htm

Научная биография:

Цырлин, Георгий Эрнстович. Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений $A_3 B_5$ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.01 / АН СССР. Ин-т аналит. приборостроения. - Ленинград, 1991. - 128 с. : ил.

Цырлин, Георгий Эрнстович. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.01, 01.04.10. - Санкт-Петербург, 2001. - 135 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person113873
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. Р. Р. Резник, А. С. Андреева, К. П. Котляр, И. В. Илькив, В. В. Лендяшова, В. О. Гридчин, П. А. Манташян, А. В. Сюй, А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, “Аксиальные гетероструктуры на основе InAs/AlGaAs нитевидных нанокристаллов, полученные с помощью низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 52:15 (2026),  49–52  mathnet
2. В. В. Лендяшова, В. Г. Талалаев, Д. А. Кириленко, А. А. Калиничев, Т. Шугабаев, В. А. Поздеев, А. С. Андреева, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Илькив, “Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21  mathnet  elib
2025
3. А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, Л. Н. Дворецкая, И. В. Штром, А. Ю. Серов, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом”, Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939  mathnet
4. Н. Г. Философов, В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. Н. Резницкий, А. Ю. Серов, И. В. Штром, И. В. Илькив, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины”, Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30  mathnet  elib
5. В. О. Гридчин, А. М. Даутов, Т. Шугабаев, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Г. П. Сотник, Д. А. Козодаев, Е. В. Пирогов, Р. Р. Резник, Д. Н. Лобанов, А. Кузнецов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, “Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43  mathnet  elib
2024
6. А. А. Корякин, Е. В. Убыйвовк, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  27–30  mathnet  elib
2023
7. А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирёв, А. Н. Яблонский, А. С. Рубан, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, В. В. Данилов, “Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO”, Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411  mathnet  elib
8. И. В. Илькив, В. В. Лендяшова, Б. Б. Бородин, В. Г. Талалаев, Т. М. Шугабаев, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  332–337  mathnet  elib 1
9. В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35  mathnet  elib
2022
10. Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li, R. Radhakrishnan, J. F. Neto, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692  mathnet  elib
11. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35  mathnet  elib
2021
12. И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 3
13. И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624  mathnet  elib; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 2
14. В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35  mathnet  elib 2
15. А. С. Кулагина, В. Н. Трухин, Д. Д. Ступин, А. Л. Чернев, М. В. Дубина, Г. Э. Цырлин, “Исследование спектров комплексного показателя преломления пленок мононуклеотидов на кремнии в терагерцевом диапазоне”, Письма в ЖТФ, 47:17 (2021),  29–31  mathnet  elib; A. S. Kulagina, V. N. Trukhin, D. D. Stupin, A. L. Chernev, M. V. Dubina, G. E. Cirlin, “Complex refractive of the spectra index of mononucleotide films on silicon in the terahertz range”, Tech. Phys. Lett., 47:12 (2021), 862–864
16. Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 1
2020
17. А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133  mathnet  elib; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130
18. А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, Г. Э. Цырлин, Е. Н. Бодунов, В. В. Данилов, “Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127  mathnet  elib; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 9
19. А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 8
20. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 6
21. Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887  mathnet  elib; R. R. Reznik, V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis of morphologically developed ingan nanostructures on silicon: influence of the substrate temperature on the morphological and optical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077 4
22. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
23. В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35  mathnet  elib; V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 8
2019
24. А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 11
25. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis by molecular beam epitaxy and properties of InGaN nanostructures of branched morphology on a silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1111–1113 7
26. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
2018
27. В. Н. Кац, А. В. Платонов, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, В. П. Кочерешко, “Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити”, Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2445–2449  mathnet  elib; V. N. Kats, A. V. Platonov, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, V. P. Kochereshko, “Polarization spectroscopy of an isolated quantum dot and an isolated quantum wire”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2623–2627 1
28. П. В. Петров, И. А. Кокурин, Ю. Л. Иванов, Г. Э. Цырлин, В. Е. Седов, Н. С. Аверкиев, “Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:2 (2018),  333–340  mathnet  elib; P. V. Petrov, I. A. Kokurin, Yu. L. Ivanov, G. E. Cirlin, V. E. Sedov, N. S. Averkiev, “Fine structure of levels and piezospectroscopy of A$^{+}$ centers in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Phys. Solid State, 30:2 (2018), 339–346 1
29. П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511  mathnet  elib; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 4
30. Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
31. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
32. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 3
33. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 2
34. P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 6
35. I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608
36. I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604
37. A. M. Mozharov, A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin, I. S. Mukhin, “Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 489–492 4
38. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 12
39. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  23–27  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23
40. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
41. Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 14
2017
42. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1631  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23
43. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
44. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 2
45. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 16
46. В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77  mathnet  elib; V. G. Talalaev, V. I. Shtrom, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813 2
47. А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 24
2016
48. И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 2
49. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 11
50. А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1675–1678  mathnet  elib; A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, V. N. Kats, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, D. V. Avdoshina, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Polarization of the photoluminescence of quantum dots incorporated into quantum wires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1647–1650
51. И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
52. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565 5
53. А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547  mathnet  elib; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 8
54. Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
55. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 20
56. А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678  mathnet  elib; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 10
2015
57. V. N. Trukhin, A. S. Buyskih, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, Yu. B. Samsonenko, A. V. Trukhin, G. E. Cirlin, M. A. Kaliteevski, D. A. Zeze, A. J. Gallant, “Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:5 (2015), 316–320  isi  elib  scopus 3
58. В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков, Г. Э. Цырлин, H. S. Leipner, “Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1531–1539  mathnet  elib; V. G. Talalaev, B. V. Novikov, G. È. Cirlin, H. S. Leipner, “Temperature quenching of spontaneous emission in tunnel-injection nanostructures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1483–1492 1
59. Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79  mathnet  elib; R. V. Grigor'ev, I. V. Shtrom, N. R. Grigor'eva, B. V. Novikov, I. P. Sotnikov, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447 6
60. В. В. Данилов, А. И. Хребтов, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, V. Dhaka, H. Lipsanen, “Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  33–41  mathnet  elib; V. V. Danilov, A. I. Khrebtov, A. S. Panfutova, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, V. Dhaka, H. Lipsanen, “Optical limiting in solutions of InP and GaAs nanowires and hybrid systems based on such nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 120–123 5
2014
61. В. Г. Талалаев, Г. Э. Цырлин, Л. И. Горай, Б. В. Новиков, М. Э. Лабзовская, J. W. Tomm, P. Werner, B. Fuhrmann, J. Schilling, P. N. Racec, “Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1209–1216  mathnet  elib; V. G. Talalaev, G. È. Cirlin, L. I. Goray, B. V. Novikov, M. È. Labzovskaya, J. W. Tomm, P. Werner, B. Fuhrmann, J. Schilling, P. N. Racec, “Effect of nanobridges on the emission spectra of a quantum dot-quantum well tunneling pair”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1178–1184 3
62. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 2
63. А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, Ю. Б. Самсоненко, P. Werner, В. В. Руцкая, М. В. Артемьев, Г. Э. Цырлин, “Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния”, Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, Yu. B. Samsonenko, P. Werner, V. V. Rutskaya, M. V. Artem'ev, G. È. Cirlin, “A hybrid system of GaAs whisker nanocrystals and PbS quantum dots on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 558–561 3
2013
64. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Д. В. Безнасюк, N. Lebedeva, S. Novikov, H. Lipsanen, Г. Э. Цырлин, “Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа”, Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2118–2122  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, D. V. Beznasyuk, N. Lebedeva, S. Novikov, H. Lipsanen, G. È. Cirlin, “New method of determining the Young's Modulus of (Ga,Mn)As nanowhiskers with a scanning electron microscope”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2229–2233 1
65. М. Б. Смирнов, А. О. Кошкин, С. В. Карпов, Б. В. Новиков, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs”, Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141  mathnet  elib; M. B. Smirnov, A. O. Koshkin, S. V. Karpov, B. V. Novikov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Computer simulation of the structure and Raman spectra of GaAs polytypes”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1220–1230 4
66. И. П. Сошников, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, “Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах”, Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, “Growth specifics of GaAs nanowires in mesa”, Phys. Solid State, 55:4 (2013), 702–706
67. Н. В. Сибирев, А. Д. Буравлев, Ю. М. Трушков, Д. В. Безнасюк, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. D. Bouravlev, Yu. M. Trushkov, D. V. Beznasyuk, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Effect of an arsenic flux on the molecular-beam epitaxy of self-catalytic (Ga,Mn)As nanowire crystals”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1416–1421 3
68. А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, P. Werner, В. В. Данилов, М. В. Артемьев, Б. В. Новиков, И. В. Штром, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, “Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, P. Werner, V. V. Danilov, M. V. Artem'ev, B. V. Novikov, I. V. Shtrom, A. S. Panfutova, G. È. Cirlin, “Composite system based on CdSe/ZnS quantum dots and GaAs nanowires”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1346–1350 10
69. V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, P. A. Brunkov, U. Perimetti, N. Akopyan, “Ultra-low density InAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1335–1338  mathnet  elib; Semiconductors, 47:10 (2013), 1324–1327 1
70. А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, V. N. Nevedomskiy, E. V. Ubyivovk, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “(In,Mn)As quantum dots: Molecular-beam epitaxy and optical properties”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1037–1040 6
71. И. П. Сошников, В. А. Петров, Ю. Ю. Проскуряков, Д. А. Кудряшов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, R. Treharne, K. Durose, “Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  865–868  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, Yu. Yu. Proskuryakov, D. A. Kudriashov, A. V. Nashchekin, G. È. Cirlin, R. Treharne, K. Durose, “Formation of structures with noncatalytic CdTe nanowires”, Semiconductors, 47:7 (2013), 875–878 3
72. А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, D. V. Beznasyuk, E. P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, I. V. Shtrom, M. A. Timofeeva, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, G. È. Cirlin, “Photovoltaic properties of GaAs:Be nanowire arrays”, Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811 3
73. С. А. Блохин, А. М. Надточий, А. А. Красивичев, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91  mathnet  elib; S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, A. A. Krasivichev, L. Ya. Karachinsky, A. P. Vasil'ev, V. N. Nevedomskiy, M. V. Maksimov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Optical anisotropy of InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 47:1 (2013), 85–89 1
2012
74. В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503  mathnet  elib; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 9
75. Н. В. Сибирёв, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  857–860  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. Tchernycheva, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J. C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Effect of diffusion from a lateral surface on the rate of gan nanowire growth”, Semiconductors, 46:6 (2012), 838–841 10
76. А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, Е. С. Брилинская, Н. А. Лебедева, С. В. Новиков, H. Lipsanen, В. Г. Дубровский, “Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, E. S. Brilinskaya, N. A. Lebedeva, S. V. Novikov, H. Lipsanen, V. G. Dubrovskii, “Formation of (Ga,Mn)As nanowires and study of their magnetic properties”, Semiconductors, 46:2 (2012), 179–183 12
77. Г. Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand, “Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  184–187  mathnet  elib; G. È. Cirlin, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand, “Effect of postgrowth heat treatment on the structural and optical properties of InP/InAsP/InP nanowires”, Semiconductors, 46:2 (2012), 175–178 12
78. А. Д. Буравлев, Г. О. Абдрашитов, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  78–83  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, G. O. Abdrashitov, G. È. Cirlin, “Molecular-beam epitaxy of (Ga,Mn)As crystal nanowires on surface GaAs(100)”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 816–818 3
79. А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, “Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462 3
2011
80. С. В. Карпов, Б. В. Новиков, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$”, Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366  mathnet  elib; S. V. Karpov, B. V. Novikov, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Specific features of Raman spectra of III–V nanowhiskers”, Phys. Solid State, 53:7 (2011), 1431–1439 7
81. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. Khrebtov, E. M. Tanklevskaya, I. A. Seleznev, “Piezoelectric effect in GaAs nanowires”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1082–1084 10
82. А. О. Голубок, Ю. Б. Самсоненко, И. С. Мухин, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083  mathnet  elib; A. O. Golubok, Yu. B. Samsonenko, I. S. Mukhin, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Growth of single GaAs nanowhiskers on the tip of a tungsten needle and their electrical properties”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1049–1052
83. И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, G. È. Cirlin, V. A. Petrov, E. M. Tanklevskaya, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, A. I. Khrebtov, V. M. Ustinov, “Fabrication of ordered GaAs nanowhiskers using electron-beam lithography”, Semiconductors, 45:6 (2011), 822–827 2
84. Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Н. К. Поляков, В. П. Улин, В. Г. Дубровский, P. Werner, “Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445  mathnet  elib; Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, N. K. Polyakov, V. P. Ulin, V. G. Dubrovskii, P. Werner, “Study of processes of self-catalyzed growth of gaas crystal nanowires by molecular-beam epitaxy on modified Si (111) surfaces”, Semiconductors, 45:4 (2011), 431–435 19
2010
85. В. Г. Талалаев, А. В. Сеничев, Б. В. Новиков, J. W. Tomm, T. Elsaesser, Н. Д. Захаров, P. Werner, U. Gösele, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092  mathnet  elib; V. G. Talalaev, A. V. Senichev, B. V. Novikov, J. W. Tomm, T. Elsaesser, N. D. Zakharov, P. Werner, U. Gösele, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “InGaAs tunnel-injection structures with nanobridges: Excitation transfer and luminescence kinetics”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1050–1058 4
86. П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. Н. Титков, “Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641  mathnet  elib; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, A. N. Titkov, “Current-voltage characteristics of silicon-doped GaAs nanowhiskers with a protecting AlGaAs coating overgrown with an undoped GaAs layer”, Semiconductors, 44:5 (2010), 610–615 8
87. Н. В. Сибирев, М. В. Назаренко, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский, “Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of growth of crystalline nanowhiskers”, Semiconductors, 44:1 (2010), 112–115 11
2009
88. Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, Е. Б. Аршанский, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)”, ЖТФ, 79:4 (2009),  142–145  mathnet  elib; N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, E. B. Arshanskii, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “On diffusion lengths of Ga adatoms on AlAs(111) and GaAs(111) surfaces”, Tech. Phys., 79:4 (2009), 586–589 8
89. Л. И. Горай, Н. И. Чхало, Г. Э. Цырлин, “Определение углов наклона и высот граней квантовых точек из анализа диффузного и зеркального рентгеновского рассеяния”, ЖТФ, 79:4 (2009),  117–124  mathnet  elib; L. I. Goray, N. I. Chkhalo, G. È. Cirlin, “Determining angles of incidence and heights of quantum dot faces by analyzing X-ray diffuse and specular scattering”, Tech. Phys., 54:4 (2009), 561–568 12
90. В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 43:12 (2009),  1585–1628  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “Semiconductor nanowhiskers: Synthesis, properties, and applications”, Semiconductors, 43:12 (2009), 1539–1584 170
91. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. М. Надточий, В. Г. Дубровский, М. А. Букин, В. А. Петров, В. В. Бусов, С. И. Трошков, “Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 43:7 (2009),  938–942  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, A. M. Nadtochiy, V. G. Dubrovskii, M. A. Bukin, V. A. Petrov, V. V. Busov, S. I. Troshkov, “Properties of GaAsN nanowires grown by magnetron-sputtering deposition”, Semiconductors, 43:7 (2009), 906–910
2008
92. Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Н. К. Поляков, В. П. Улин, В. Г. Дубровский, “Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1478–1482  mathnet  elib; Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, V. P. Ulin, V. G. Dubrovskii, “Specific features of formation of GaAs nanowire crystals during molecular beam epitaxy on different silicon surfaces”, Semiconductors, 42:12 (2009), 1445–1449 4
93. Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения”, Физика и техника полупроводников, 42:11 (2008),  1286–1290  mathnet  elib; N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, G. È. Cirlin, V. A. Egorov, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “Deposition-rate dependence of the height of GaAs-nanowires”, Semiconductors, 42:11 (2008), 1259–1263 4
94. Б. В. Новиков, Г. Г. Зегря, Р. М. Пелещак, О. О. Данькив, В. А. Гайсин, В. Г. Талалаев, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Барические свойства квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1094–1101  mathnet  elib; B. V. Novikov, G. G. Zegrya, R. M. Peleshchak, O. O. Dan’kiv, V. A. Gaisin, V. G. Talalaev, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, “Baric properties of InAs quantum dots”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1076–1083 13
95. Г. Э. Цырлин, Н. В. Сибирев, С. Sartel, J.-C. Harmand, “Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 42:6 (2008),  726–729  mathnet  elib; G. È. Cirlin, N. V. Sibirev, С. Sartel, J.-C. Harmand, “Lateral ordering of GaAs nanowhiskers on GaAs(111)As and GaAs (110) surfaces during molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 42:6 (2008), 710–713 1
96. М. М. Соболев, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, “Эффект Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  311–315  mathnet  elib; M. M. Sobolev, G. È. Cirlin, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, “Wannier–Stark effect in Ge/Si quantum dot superlattices”, Semiconductors, 42:3 (2008), 305–309 4
97. М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J.-C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Формирование гетероструктур в нитевидных нанокристаллах по диффузионному механизму”, Письма в ЖТФ, 34:17 (2008),  52–59  mathnet  elib; M. V. Nazarenko, N. V. Sibirev, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J.-C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Heterostructure formation in nanowhiskers via diffusion mechanism”, Tech. Phys. Lett., 34:9 (2008), 750–753 2
98. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  88–94  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Hexagonal structures in GaAs nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 538–541 10
2007
99. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, В. Н. Неведомский, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 49:8 (2007),  1373–1377  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, A. A. Tonkikh, V. N. Nevedomskiy, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “Electron diffraction on GaAs nanowhiskers grown on Si(100) and Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 49:8 (2007), 1440–1445 11
100. М. Б. Смирнов, В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков, С. В. Сарангов, Г. Э. Цырлин, Н. Д. Захаров, “Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs”, Физика твердого тела, 49:6 (2007),  1126–1131  mathnet  elib; M. B. Smirnov, V. G. Talalaev, B. V. Novikov, S. V. Sarangov, G. È. Cirlin, N. D. Zakharov, “Numerical simulation of the temperature dependence of the photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots”, Phys. Solid State, 49:6 (2007), 1184–1190 5
101. О. А. Неучева, А. А. Евстрапов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Взаимодействие оптического излучения с массивом нитевидных кристаллов GaAs”, Письма в ЖТФ, 33:21 (2007),  56–62  mathnet  elib; O. A. Neucheva, A. A. Evstrapov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Interaction of optical radiation with GaAs nanowhisker arrays”, Tech. Phys. Lett., 33:11 (2007), 923–925
2006
102. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, А. В. Веретеха, А. Г. Гладышев, В. М. Устинов, “Исследование основных закономерностей формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 48:4 (2006),  737–741  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, A. V. Veretekha, A. G. Gladyshev, V. M. Ustinov, “Formation of GaAs nanowhisker arrays by magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 48:4 (2006), 786–791 7

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026