|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 129–136   ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, “Tunnel injection and power efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes”, Semiconductors, 47:1 (2013), 127–134 |
13
|
|
2012 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1054–1062 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, “Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1032–1039 |
10
|
|
