|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
E. Z. Imamov, R. A. Muminov, Kh. N. Karimov, A. E. Imamov, “Study of electrophysical properties of a solar cell with nano-hetera junctions on a non-crystalline silicon substrate”, Comp. nanotechnol., 12:3 (2025), 191–202  |
|
2023 |
| 2. |
M. A. Askarov, E. Z. Imamov, R. A. Muminov, “Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 110–121 |
2
|
| 3. |
R. A. Muminov, E. Z. Imamov, R. Kh. Rakhimov, M. A. Askarov, “Factors of efficient generation of electricity in a solar cell with nanohetero junctions”, Comp. nanotechnol., 10:1 (2023), 119–127 ; Computational nanotechnology, 2023, no. 1, 119–122 |
1
|
|
2022 |
| 4. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, Х. Н. Каримов, М. А. Аскаров, “Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами”, Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 70–77 |
| 5. |
Ш. Б. Утамурадова, Р. А. Муминов, В. Г. Дыскин, О. Ф. Тукфатуллин, “Программа для расчета проективного пробега и страгглинга ионов в твердом теле с использованием аппроксимации В.В. Юдина”, Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 11–16 |
|
2021 |
| 6. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Анализ эффективности солнечного элемента с наноразмерными гетеропереходами”, Comp. nanotechnol., 8:4 (2021), 42–50 |
5
|
|
2020 |
| 7. |
Р. А. Муминов, Ё. К. Тошмуродов, Г. Ж. Эргашев, М. О. Явкочдиев, “Математическое моделирование диффузионного процесса полупроводникового детектора”, Comp. nanotechnol., 7:4 (2020), 68–71 |
| 8. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Математическое моделирование оптимальных параметров атмосферного воздействия на свойства солнечного модуля”, Comp. nanotechnol., 7:2 (2020), 58–63 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
R. A. Muminov, A. M. Rasulov, N. I. Ibragimov, “Computer modeling thin film growth on the surface by low energy cluster deposition”, Comp. nanotechnol., 6:2 (2019), 160–163  |
|
2018 |
| 10. |
T. A. Djalalov, E. Z. Imamov, R. A. Muminov, H. Sabirov, Sh. Sh. Atoev, “Solar elements based on noncrystallic silicon with nanostructured impacts”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 85–90 |
| 11. |
Т. А. Джалалов, Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Расширение спектра эффективного поглощения солнечных элементов с нановключениями”, Comp. nanotechnol., 2018, № 1, 155–157 |
|
2017 |
| 12. |
R. A. Muminov, S. A. Radzhapov, Y. Q. Toshmurodov, B. S. Radzhapov, “Coordinate-sensitive detectors of ionizing radiation on the basis of the Si (Li) $p-i-n$ large-dimension structures”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 29–32 |
| 13. |
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов, “Детекторы рентгеновского и гамма излучения на основе Al-nGe-pSi-Au структуры”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 27–28 |
| 14. |
М. А. Абдукадыров, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Тепловые свойства GaAs/ALGaAs солнечных элементов, «прозрачных» за длинноволновым краем основной полосы поглощения”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 22–23 |
| 15. |
Т. А. Джалалов, Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Анализ роли нанообъектов в удешевлении кремниевых солнечных элементов”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 14–17 |
| 16. |
Р. Х. Рахимов, Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ю. С. Пиндюрин, Б. С. Раджапов, “Применение радонометра на основе кремниевых поверхностно-барьерных детекторов для мониторинга концентрации радона”, Comp. nanotechnol., 2017, № 2, 85–88 |
2
|
| 17. |
E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, R. Kh. Rakhimov, “Unique opportunity to create cheap but effective silicon solar cells”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 61–64 |
| 18. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Уникальная возможность создания дешевого, но эффективного кремниевого солнечного элемента”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 56–60 |
| 19. |
R. A. Muminov, S. A. Radzhapov, B. S. Radzhapov, “Examination and assessment of electrophysical and radiometric characteristics of the Si(Li)p-i-n-photodetecting plasticscintillation system”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 54–55 |
| 20. |
M. A. Abdukadirov, Z. T. Azamatov, N. A. Axmedova, A. S. Ganiyev, R. A. Muminov, “Properties of $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ heterophototransformators with holographic concentrators”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 52–53 |
| 21. |
М. А. Абдукадыров, З. Т. Азаматов, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 50–51 |
|
2016 |
| 22. |
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Б. С. Раджапов, Р. Х. Рахимов, “Детекторы ионизирующего излучения на основе нейтроно-легированного кремния”, Comp. nanotechnol., 2016, № 4, 136–137 |
| 23. |
E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, R. Kh. Rakhimov, “The difference between the contact structure with nanosize inclusions from the semiconductor photodiodes”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 203–207 |
2
|
| 24. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 196–202 |
3
|
| 25. |
Р. А. Муминов, “Рахимов Рустам Хакимович”, Comp. nanotechnol., 2016, № 2, 7–8 |
| 26. |
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов, “Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров”, Comp. nanotechnol., 2016, № 1, 62–66 |
1
|
|
2015 |
| 27. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»”, Comp. nanotechnol., 2015, № 4, 51–63 |
4
|
| 28. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, “Электрофизические свойства новой контактной структуры “нанообъект–полупроводник””, ЖТФ, 85:5 (2015), 110–115 ; E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, “Electrophysical properties of the “nano-object-semiconductor” new contact structure”, Tech. Phys., 60:5 (2015), 740–745 |
4
|
|
2009 |
| 29. |
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, А. К. Саймбетов, “Разработка Si(Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля”, Письма в ЖТФ, 35:16 (2009), 59–63 ; R. A. Muminov, S. A. Radzhapov, A. K. Saimbetov, “Developing Si(Li) nuclear radiation detectors by pulsed electric field treatment”, Tech. Phys. Lett., 35:8 (2009), 768–769 |
6
|
|
2005 |
| 30. |
Т. С. Камилов, Д. К. Кабилов, И. С. Самиев, Х. Х. Хуснутдинова, Р. А. Муминов, В. В. Клечковская, “Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на кремнии”, ЖТФ, 75:8 (2005), 140–142 ; T. S. Kamilov, D. K. Kabilov, I. S. Samiev, Kh. Kh. Khusnutdinova, R. A. Muminov, V. V. Klechkovskaya, “Formation of higher manganese silicide films on silicon”, Tech. Phys., 50:8 (2005), 1102–1104 |
11
|
| 31. |
Е. Б. Заверюхина, Н. Н. Заверюхина, Л. Н. Лезилова, Б. Н. Заверюхин, Р. А. Муминов, В. В. Володарский, “Акустостимулированное расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности AlGaAs/GaAs-солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 31:1 (2005), 54–66 ; E. B. Zaveryukhina, N. N. Zaveryukhina, L. N. Lezilova, B. N. Zaveryukhin, R. A. Muminov, V. V. Volodarskii, “Acoustostimulated expansion of the short-wavelength sensitivity range of AlGaAs/GaAs solar cells”, Tech. Phys. Lett., 31:1 (2005), 27–32 |
6
|
|
1986 |
| 32. |
Б. Н. Заверюхин, В. Д. Кревчик, Р. А. Муминов, А. Ш. Шамагдиев, “Особенности ультразвукового воздействия на
Si$\langle$Li$\rangle$-детекторы с неравномерным распределением
электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 525–528 |
|
1984 |
| 33. |
А. Г. Гаибов, Б. Н. Заверюхин, В. Д. Кревчик, Р. А. Муминов, О. Нигманов, А. Ш. Шамагдиев, “Акустостимулированные процессы в Si(Li)-$p{-}i{-}n$ детекторах”, Письма в ЖТФ, 10:10 (1984), 616–620  |
|
1978 |
| 34. |
С. А. Азимов, Ю. А. Катулевский, Р. А. Муминов, А. Г. Рахимова, “Экспериментальное наблюдение пинч-эффекта в кремнии”, Докл. АН СССР, 242:5 (1978), 1050–1051 |
|
1975 |
| 35. |
С. А. Азимов, Ю. А. Катулевский, Р. А. Муминов, “Исследование особенностей взаимодействия электронно-дырочной плазмы германиевых
$(p-n-n^+)$-структур в режиме пинчевания тока с падающим СВЧ излучением сантиметрового диапазона”, Докл. АН СССР, 220:4 (1975), 809–810 |
|
Обратная связь: