|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ф. Тепп, М. Орлита, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора””, Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023), 860–868  ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Simultaneous observation of the cyclotron resonances of electrons and holes in a HgTe/CdHgTe double quantum well under “optical gate” effect”, JETP Letters, 118:11 (2023), 867–874 |
2
|
|
2022 |
| 2. |
А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Б. А. Пио, М. Потемски, М. Орлита, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 535–543 ; A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, B. A. Piot, M. Potemski, M. Orlita, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Origin of structure inversion asymmetry in double HgTe quantum wells”, JETP Letters, 116:8 (2022), 547–555 |
5
|
|
2020 |
| 3. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, М. С. Жолудев, С. Руффенах, К. Консежо, Ф. Тепп, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. Потемски, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой”, Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020), 541–546  ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, M. S. Zholudev, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. Potemski, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Effects of the electron–electron interaction in the magneto-absorption spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells with an inverted band structure”, JETP Letters, 112:8 (2020), 508–512   |
3
|
| 4. |
В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932 ; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
С. С. Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада, К. Консежо, В. Десра, Б. Жуо, В. Кнап, М. А. Фадеев, А. М. Кадыков, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Г. Буасье, Э. Турнье, В. И. Гавриленко, Ф. Тепп, “Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97 ; S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, G. Boissier, E. Tournié, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Terahertz spectroscopy of two-dimensional semimetal in three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well”, JETP Letters, 109:2 (2019), 96–101 |
7
|
| 6. |
С. М. Подгорных, М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 935–939 ; S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “On the thermal activation of conductivity electrons in a $p$-type HgTe/CdHgTe double quantum well with HgTe layers of critical width”, Semiconductors, 53:7 (2019), 919–922 |
4
|
|
2018 |
| 7. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко, “Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018), 352–358 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334 |
7
|
|
2017 |
| 8. |
С. Руффенах, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, М. Марцинкевич, К. Консежо, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. Кнап, Ф. Гонзалез-Посада, Г. Буасье, Э. Турнье, Ф. Тепп, В. И. Гавриленко, “Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017), 696–701 ; S. Ruffenach, S. S. Krishtopenko, L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, M. Marcinkiewicz, C. Consejo, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, W. Knap, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, E. Tournié, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs “Three-Layer” gapless quantum wells”, JETP Letters, 106:11 (2017), 727–732 |
8
|
| 9. |
Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1621–1629 ; L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570 |
| 10. |
А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593 ; A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 |
11
|
| 11. |
С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44 ; S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, L. S. Bovkun, K. E. Spirin, A. M. Kadykov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42 |
6
|
|
2016 |
| 12. |
М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, В. Н. Неверов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 415–423 ; M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, V. N. Neverov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “HgTe/CdHgTe double quantum well with a spectrum of bilayer graphene and peculiarities of its magnetotransport”, JETP Letters, 104:6 (2016), 403–410 |
12
|
| 13. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1554–1560 ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538 |
10
|
|
2015 |
| 14. |
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1676–1682 ; L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Exchange enhancement of the electron $g$-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1627–1633 |
7
|
| 15. |
К. Е. Спирин, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, О. Драченко, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1665–1671 ; K. E. Spirin, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, O. Drachenko, M. Helm, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance in InAs/AlSb quantum wells in magnetic fields up to 45 T”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1616–1622 |
| 16. |
С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. П. Калинин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 196–203 ; S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. P. Kalinin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Exchange enhancement of the electron $g$ factor in strained InGaAs/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 191–198 |
7
|
| 17. |
С. С. Криштопенко, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спиновом резонансе в двумерной системе со спин-орбитальным взаимодействием Дрессельхауза”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 179–185 ; S. S. Krishtopenko, “Effects of the electron-electron interaction in the spin resonance in 2D systems with Dresselhaus spin-orbit coupling”, Semiconductors, 49:2 (2015), 174–180 |
2
|
|
2013 |
| 18. |
К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1497–1503 ; K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1485–1491 |
7
|
|
2012 |
| 19. |
К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1424–1429 ; K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1396–1401 |
20
|
| 20. |
С. С. Криштопенко, К. П. Калинин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, M. Goiran, “Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1186–1193 ; S. S. Krishtopenko, K. P. Kalinin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, M. Goiran, “Rashba spin splitting and exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1163–1170 |
20
|
|
2011 |
| 21. |
В. И. Гавриленко, С. С. Криштопенко, M. Goiran, “Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 111–119 ; V. I. Gavrilenko, S. S. Krishtopenko, M. Goiran, “Electron-electron interaction and spin-orbit coupling in InAs/AlSb heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 45:1 (2011), 110–117 |
19
|
|
2010 |
| 22. |
В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 642–648 ; V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, A. A. Lastovkin, K. V. Marem'yanin, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 44:5 (2010), 616–622 |
24
|
|
2008 |
| 23. |
В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008), 846–851 ; V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Exchange enhancement of the $g$ factor in InAs/AlSb heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 828–833 |
35
|
|
Обратная связь: