|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. Н. Афанасьев, К. А. Барышников, А. В. Коротченков, П. С. Алексеев, “Вязкоупругий резонанс в течении двумерных электронов при реалистичных граничных условиях на краях канала”, Письма в ЖЭТФ, 122:9 (2025), 589–596  |
|
2024 |
| 2. |
А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 620–628  |
|
2021 |
| 3. |
А. Н. Афанасьев, П. С. Алексеев, А. А. Грешнов, М.А. Семина, “Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 566–577 ; A. N. Afanasiev, P. S. Alekseev, A. A. Greshnov, M.A. Semina, “On the ballistic flow of two-dimensional electrons in a magnetic field”, Semiconductors, 55:6 (2021), 562–573 |
7
|
|
2017 |
| 4. |
А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017), 554–558 ; A. N. Afanasiev, A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, “Impact ionization rate in direct gap semiconductors”, JETP Letters, 105:9 (2017), 586–590   |
|
