|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
И. Б. Чистохин, К. Б. Фрицлер, “Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 11–13   ; I. B. Chistokhin, K. B. Fritzler, “The influence of the conditions of getter formation in high-resistivity silicon on the characteristics of PIN photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1057–1059 |
4
|
|
2019 |
| 2. |
К. Б. Фрицлер, В. Я. Принц, “Методы трёхмерной печати микро- и наноструктур”, УФН, 189:1 (2019), 55–71 ; K. Fritzler, V. Ya. Prinz, “3D printing methods for micro- and nanostructures”, Phys. Usp., 62:1 (2019), 54–69   |
36
|
|
2018 |
| 3. |
А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер, “Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 30–36 ; A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, E. M. Trukhanov, K. B. Fritzler, “The reliability of revealing threading dislocations in epitaxial films by structure-sensitive etching”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 916–918 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
К. Б. Фрицлер, Е. М. Труханов, В. В. Калинин, “Морфология, структурные и электрофизические свойства монокристаллов бестигельного Si(111)”, Письма в ЖТФ, 41:15 (2015), 33–39 ; K. B. Fritzler, E. M. Trukhanov, V. V. Kalinin, “Morphology and structural and electrical parameters of float-zone Si(111) single crystals”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 731–733 |
1
|
|
