|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. П. Зломанов, “Управление синтезом и составом полупроводников. Малодефектный карбид кремния и низкоразмерный селенид кадмия”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 11–15   ; V. P. Zlomanov, “Control of the synthesis and composition of semiconductors.Low-defect silicon carbide and low-dimensional cadmium selenide”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 8–12 |
|
2019 |
| 2. |
Е. А. Тутов, Д. Л. Голощапов, В. П. Зломанов, “Фазовый переход полупроводник-металл и “тристабильное” электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 3–5 ; E. A. Tutov, D. L. Goloshchapov, V. P. Zlomanov, “Semiconductor–metal phase transition and “tristable” electrical switching in nanocrystalline vanadium oxide films on silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 584–587 |
|
2017 |
| 3. |
Е. А. Тутов, А. В. Мананников, H. I. Al-Khafaji, В. П. Зломанов, “Поверхностная и объемная проводимость диоксида ванадия”, ЖТФ, 87:3 (2017), 367–371 ; E. A. Tutov, A. V. Manannikov, H. I. Al-Khafaji, V. P. Zlomanov, “Surface and bulk conductivity of vanadium dioxide”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 390–394 |
4
|
|
2013 |
| 4. |
Е. А. Тутов, В. П. Зломанов, “Влияние хемосорбции донорных и акцепторных газов на фазовый переход полупроводник–металл в пленках диоксида ванадия”, Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2233–2236 ; E. A. Tutov, V. P. Zlomanov, “Effect of chemisorption of donor and acceptor gases on the semiconductor–metal phase transition in vanadium dioxide films”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2351–2354 |
7
|
| 5. |
А. И. Артамкин, А. А. Добровольский, А. А. Винокуров, В. П. Зломанов, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 293–297 ; A. I. Artamkin, A. A. Dobrovolsky, A. A. Vinokurov, V. P. Zlomanov, S. N. Danilov, V. V. Bel'kov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of vanadium-doped lead telluride in the terahertz spectral region”, Semiconductors, 47:3 (2013), 319–322 |
1
|
|
1989 |
| 6. |
Б. А. Акимов, П. В. Вертелецкий, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, О. И. Тананаева, Н. А. Широкова, “Осцилляции Шубникова$-$де-Гааза в PbTe(Cr)”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 244–249 |
|
1987 |
| 7. |
Н. Б. Брандт, В. П. Зломанов, Е. А. Ладыгин, Я. Г. Пономарев, Е. П. Скипетров, П. В. Шибаев, “Переход металл–диэлектрик под действием давления в сплаве Pb$_{0.875}$Sn$_{0.125}$Se, облученном быстрыми электронами”, Физика твердого тела, 29:1 (1987), 246–249  |
| 8. |
Н. Б. Брандт, В. П. Дубков, В. П. Зломанов, Г. В. Иванова, Е. А. Ладыгин, Е. П. Скипетров, “Влияние электронного облучения на гальваномагнитные явления
в $n$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.25}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2136–2141 |
|
1986 |
| 9. |
Б. А. Акимов, А. В. Албул, А. В. Давыдов, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, М. Е. Тамм, “Кинетические явления и перколяционная проводимость в твердых растворах In$_{1-x}$Tl$_{x}$Te”, Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2680–2687 |
| 10. |
Н. Ю. Артюшина, А. В. Давыдов, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, М. Е. Тамм, “Модуляция рельефа зон в монокристаллических сплавах
2РbТе$-$TlВiТе$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 251–256 |
| 11. |
Т. Д. Айтикеева, Н. С. Голованова, В. П. Зломанов, А. И. Лебедев, О. И. Тананаева, “Электрические свойства и фотолюминесценция кристаллов теллурида свинца, легированных висмутом”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 44–47 |
|
1985 |
| 12. |
В. П. Зломанов, Е. А. Ладыгин, Б. П. Пырегов, Е. П. Скипетров, “Исследование влияния облучения быстрыми электронами
на электрофизические свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 53–57 |
|
1983 |
| 13. |
О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, И. В. Криалашвили, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев
$\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}_{1-y}\mathrm{Te}_y$”, Докл. АН СССР, 272:6 (1983), 1371–1374 |
| 14. |
А. М. Гаськов, А. А. Гольденвейзер, И. А. Соколов, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова, “Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца”, Докл. АН СССР, 269:3 (1983), 607–609 |
| 15. |
Б. А. Акимов, Н. Б. Брандт, А. М. Гаськов, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах
PbTe(Ga)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 87–92 |
|
1981 |
| 16. |
Л. П. Бычкова, Г. Г. Гегиадзе, О. И. Даварашвили, В. П. Зломанов, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}$”, Докл. АН СССР, 259:1 (1981), 83–86 |
|
1962 |
| 17. |
В. П. Зломанов, А. В. Новоселова, “Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом”, Докл. АН СССР, 143:1 (1962), 115–118 |
|
