|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
A. S. Vedeneev, A. M. Kozlov, D. V. Kolodko, V. A. Luzanov, I. A. Sorokin, “Electron transport in carbon-based nanocomposites for memristor nanosystems”, Физика твердого тела, 66:1 (2024), 109  |
| 2. |
А. С. Веденеев, Д. В. Колодко, А. М. Козлов, В. А. Лузанов, И. А. Сорокин, “Пленки алмазоподобного углерода, легированные железом: технология и нелинейный электронный транспорт”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 42–44  |
|
2017 |
| 3. |
А. С. Веденеев, В. В. Рыльков, К. С. Напольский, А. П. Леонтьев, А. А. Клименко, А. М. Козлов, В. А. Лузанов, С. Н. Николаев, М. П. Темирязева, А. С. Бугаев, “Эффекты электронного увлечения золота в порах анодного оксида алюминия: обратимое резистивное переключение в цепочке точечных контактов”, Письма в ЖЭТФ, 106:6 (2017), 387–391 ; A. S. Vedeneev, V. V. Rylkov, K. S. Napolskii, A. P. Leontiev, A. A. Klimenko, A. M. Kozlov, V. A. Luzanov, S. N. Nikolaev, M. P. Temiryazeva, A. S. Bugaev, “Effects of electron drag of gold in pores of anodic aluminum oxide: Reversible resistive switching in a chain of point contacts”, JETP Letters, 106:6 (2017), 411–415   |
12
|
|
2013 |
| 4. |
В. А. Гудков, А. С. Веденеев, В. В. Рыльков, М. П. Темирязева, А. М. Козлов, С. Н. Николаев, М. А. Панков, А. Н. Голованов, А. С. Семисалова, Н. С. Перов, М. П. Духновский, А. С. Бугаев, “Синтез пространственно упорядоченного ансамбля наноцилиндров Co в матрице пористого оксида алюминия на поверхности GaAs-структур”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 17–24 ; V. A. Gudkov, A. S. Vedeneev, V. V. Ryl'kov, M. P. Temiryazeva, A. M. Kozlov, S. N. Nikolaev, M. A. Pankov, A. N. Golovanov, A. S. Semisalova, N. S. Perov, M. P. Duhnovskii, A. S. Bugaev, “Synthesis of spatially ordered ensemble of Co nanocylinders in porous alumina matrix on surface of GaAs structures”, Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 805–807 |
3
|
|
1992 |
| 5. |
А. Г. Ждан, А. М. Козлов, Т. А. Костинская, В. Ф. Кочеров, В. В. Рыльков, “Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$ с блокированной проводимостью по примесной зоне”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2024–2030 |
|
