|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, Т. Н. Ушакова, Г. А. Ильчук, “Гетеропереходы собственный окисел $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 471–474   ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, T. N. Ushakova, G. A. Ilchuk, “$p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb native-oxide heterojunctions: Non-vacuum process and photoelectric properties”, Semiconductors, 48:4 (2014), 455–458 |
|
2012 |
| 2. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, Т. Н. Ушакова, М. С. Сергинов, “Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/$p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1293–1296 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, T. N. Ushakova, M. C. Seginov, “Creation and photoelectric properties of Ox/$p$-InAs heterostructures”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1270–1273 |
| 3. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, Т. Н. Ушакова, “Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 802–804 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, T. N. Ushakova, “Photosensitive Ox/GaAs heterojunctions: Creation and properties”, Semiconductors, 46:6 (2012), 783–785 |
1
|
| 4. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, Т. Н. Ушакова, “Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/$n$-GaP”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 798–801 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, T. N. Ushakova, “Creation and studies of the photosensitivity of Ox/$n$-GaP structures”, Semiconductors, 46:6 (2012), 779–782 |
1
|
| 5. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Ф. Гременок, Е. И. Теруков, Б. Х. Байрамов, Y. W. Song, “Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 231–234 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', V. F. Gremenok, E. I. Terukov, B. H. Bairamov, Y. W. Song, “Photosensitivity of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo thin-film solar cells fabricated on various substrates”, Semiconductors, 46:2 (2012), 221–224 |
13
|
|
2011 |
| 6. |
В. В. Попов, С. А. Кижаев, Ю. В. Рудь, “Магнитные и тепловые свойства CuFeS$_2$ при низких температурах”, Физика твердого тела, 53:1 (2011), 70–74 ; V. V. Popov, S. A. Kizhaev, Yu. V. Rud', “Magnetic and thermal properties of CuFeS$_2$ at low temperatures”, Phys. Solid State, 53:1 (2011), 71–75 |
12
|
| 7. |
В. Ф. Гременок, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, С. А. Башкиров, В. А. Иванов, “Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1084–1089 ; V. F. Gremenok, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', S. A. Bashkirov, V. A. Ivanov, “Photosensitive thin-film In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S Schottky barriers: Fabrication and properties”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1053–1058 |
20
|
| 8. |
И. В. Боднарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Д. В. Ложкин, “Четверные твердые растворы (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и фоточувствительные структуры на их основе”, Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 941–946 ; I. V. Bondar', V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', D. V. Lozhkin, “Quaternary (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ alloys and photosensitive structures on their basis”, Semiconductors, 45:7 (2011), 912–916 |
24
|
| 9. |
И. В. Боднарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, А. М. Ковальчук, “Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 617–621 ; I. V. Bondar', V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, A. M. Kovalchuk, “Photosensitive structures based on CuIn$_5$Te$_8$ single crystals: Development and properties”, Semiconductors, 45:5 (2011), 607–610 |
3
|
| 10. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, “Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 468–473 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, “Surface-barrier structures on single crystals of CdMgMnTe quaternary solid solutions: Creation and properties”, Semiconductors, 45:4 (2011), 461–466 |
|
2010 |
| 11. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, И. В. Боднарь, “Выращивание монокристаллов CdP$_2$ тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе”, ЖТФ, 80:4 (2010), 84–88 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', I. V. Bondar', “Growth of tetragonal CdP$_2$ single crystals and the properties of barriers on their basis”, Tech. Phys., 55:4 (2010), 517–520 |
3
|
| 12. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, “Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1059–1063 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, “Development and photoelectric properties of In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$ surface-barrier structures”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1025–1029 |
3
|
| 13. |
Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, Н. М. Геллер, А. Г. Иванов, В. В. Шаманин, “Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 372–376 ; Yu. A. Nikolaev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, N. M. Geller, A. G. Ivanov, V. V. Shamanin, “Polydisalicylidene azomethyne/Si(GaAs) heterojunctions: Development and properties”, Semiconductors, 44:3 (2010), 354–358 |
1
|
| 14. |
Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, П. Й. Шаповал, Р. Ю. Петрусь, “Фоточувствительность гетеропереходов $n$-CdS/$p$-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS”, Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 335–337 ; G. A. Ilchuk, V. V. Kusnezh, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', P. Y. Shapowal, R. Yu. Petrus, “Photosensitivity of $n$-CdS/$p$-CdTe heterojunctions obtained by chemical surface deposition of CdS”, Semiconductors, 44:3 (2010), 318–320 |
23
|
| 15. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. А. Осипова, И. В. Боднарь, “Обнаружение твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и создание фоточувствительных структур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 48–52 ; V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', M. A. Osipova, I. V. Bondar', “Discovery of the (In$_2$S$_3$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ solid solutions and fabrication of photosensitive structures based on them”, Semiconductors, 44:1 (2010), 45–49 |
6
|
| 16. |
И. В. Боднарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, “Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 39–43 ; I. V. Bondar', V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, “Growth of the (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ single crystals and properties of photoelectric structures on their basis”, Semiconductors, 44:1 (2010), 37–40 |
7
|
|
2009 |
| 17. |
Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, “Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs$_2$ моноклинной модификации”, ЖТФ, 79:11 (2009), 36–40 ; Yu. A. Nikolaev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, “Polarization photosensitivity of Schottky barriers on monoclinic ZnAs$_2$ crystals”, Tech. Phys., 54:11 (2009), 1597–1601 |
2
|
|
2008 |
| 18. |
Г. А. Ильчук, Р. Ю. Петрусь, Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков, “Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te”, ЖТФ, 78:6 (2008), 49–53 ; G. A. Ilchuk, R. Yu. Petrus, Yu. A. Nikolaev, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', E. I. Terukov, “Photosensitivity of surface-barrier and point structures on Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te single crystals”, Tech. Phys., 53:6 (2008), 722–726 |
| 19. |
Д. Мелебаев, Г. Д. Мелебаева, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Фоточувствительность и определение высоты барьеров Шоттки в структурах Au–$n$-GaAs”, ЖТФ, 78:1 (2008), 137–142 ; D. Melebaev, G. D. Melebaeva, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', “Photosensitivity and Schottky barrier height in Au–$n$-GaAs structures”, Tech. Phys., 53:1 (2008), 134–139 |
4
|
|
1992 |
| 20. |
Г. К. Аверкиева, М. Е. Бойко, Н. Н. Константинова, Т. Б. Попова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, “Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe”, Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2284–2286  |
| 21. |
М. А. Магомедов, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, “Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In${-}p$-CuInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1996–2000 |
| 22. |
Н. Н. Константинова, М. А. Магомедов, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1861–1865 |
| 23. |
Н. Н. Константинова, М. А. Магомедов, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 558–562 |
| 24. |
М. А. Магомедов, Г. А. Медведкин, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе $n$-CuInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 556–558 |
| 25. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. Сергинов, “Усиление фотоплеохроизма в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 506–509 |
|
1991 |
| 26. |
Н. Н. Константинова, М. А. Магомедов, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Фотоактивное поглощение в тонких пленках CuInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2047–2050 |
| 27. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Компенсация фотоплеохроизма поляриметрических структур
на основе CdGeP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1469–1471 |
|
1990 |
| 28. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Фотоэлектрические свойства структур на основе CdGeP$_{2}$
и его бинарного аналога InP”, ЖТФ, 60:9 (1990), 174–176 |
| 29. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах
CdGeAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2181–2185 |
| 30. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных
кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1306–1312 |
| 31. |
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, “Обнаружение анизотропии подвижности дырок в монокристаллах
CdSiAs$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 9–12 |
|
1989 |
| 32. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Оптический дихроизм кристаллов CdSnP$_{2}$ в области фундаментального края поглощения”, Физика твердого тела, 31:4 (1989), 108–113 |
| 33. |
Э. О. Османов, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фотоэлектрохимические ячейки из стеклообразных полупроводников
$\text{II}{-}\text{IV}{-}\text{V}_{2}$”, ЖТФ, 59:7 (1989), 112–116 |
| 34. |
Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Электрические и фотоэлектрические свойства
$n{-}p$-CdSiAs$_{2}$”, ЖТФ, 59:6 (1989), 128–131 |
| 35. |
Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Инверсия знака фототока в поляриметрических структурах
из CdSiAs$_{2}$ и CdGeP$_{2}$”, ЖТФ, 59:2 (1989), 101–105 |
| 36. |
H. H. Константинова, Ю. В. Рудь, “Оптические свойства монокристаллов AgGaTe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1778–1783 |
| 37. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов
CuInTe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1299–1301 |
| 38. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Спектры фоточувствительности структур Cu$-$CdSiP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1002–1005 |
| 39. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фотоэффект в гетероструктурах In$_{2}$O$_{3}$/CuInSe$_{2}$,
полученных методом термического окисления”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 869–872 |
| 40. |
Д. Н. Горячев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Поляризационная фоточувствительность барьеров
электролит$-$CdGeP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 312–315 |
|
1988 |
| 41. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фундаментальный край оптического поглощения монокристаллов CdSiAs$_{2}$”, Физика твердого тела, 30:12 (1988), 3584–3590 |
| 42. |
Т. Л. Макарова, Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Отражение и эллипсометрия реальной поверхности кристаллов
CuInS$_{2}$”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1612–1614 |
| 43. |
Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фотовольтаических эффект в гетеропереходе на основе
$p$-ZnSnAs$_{2}$”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1586–1588 |
| 44. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Фотовольтаический эффект в барьерах $n$-CdO$-$CdGeP$_{2}$”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1415–1419 |
| 45. |
Н. Н. Константинова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Спектры фоточувствительности контакта
I$-$III$-$VI$_{2}{-}$электролит”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1699–1701 |
| 46. |
Н. Н. Константинова, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фазовый переход халькопирит${}\rightleftarrows{}$ сфалерит
в полупроводниках
II$-$IV$-$V$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1580–1584 |
| 47. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур
$n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1115–1116 |
| 48. |
Р. Н. Бекимбетов, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, Т. Н. Ушакова, М. Е. Бойко, “Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм
структур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1101–1104 |
| 49. |
Г. А. Медведкин, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Обнаружение оптического линейного дихроизма в монокристаллах
CuInTe$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 14:10 (1988), 917–920 |
| 50. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Многочастотный «гигантский» фотоплеохроизм”, Письма в ЖТФ, 14:10 (1988), 900–903 |
|
1987 |
| 51. |
Л. В. Крадинова, А. М. Полуботко, В. В. Попов, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, В. Е. Скорюкин, “Электронные характеристики CuFeS$_{2}$ при низких температурах и его зонная схема в точке $\Gamma$”, Физика твердого тела, 29:7 (1987), 2209–2212 |
| 52. |
В. Ф. Агекян, Ю. В. Рудь, Р. Швабе, “Кинетика люминесценции в некоторых твердых растворах A$_{2}$B$_{6}$”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1685–1689 |
| 53. |
А. А. Вайполин, Ю. В. Рудь, “Динамика межатомного взаимодействия, механизм фазового перехода и образования собственных точечных дефектов в кристаллах полупроводника ZnSnAs$_{2}$”, Физика твердого тела, 29:2 (1987), 632–634 |
| 54. |
Р. Н. Бекимбетов, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Поляриметрический гетерофотоэлемент
MnIn$_{2}$Te$_{4}{-}$Si”, ЖТФ, 57:12 (1987), 2403–2404 |
| 55. |
Р. Н. Бекимбетов, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Физические свойства пленок
MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и гетеропереходов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1916–1918 |
| 56. |
Р. Н. Бекимбетов, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Диоды Шоттки на магнитных полупроводниках
MnIn$_{2}$Te и MnGa$_{2}$Te$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1051–1053 |
| 57. |
Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Фоточувствительность систем полупроводники
II$-$IV$-$V$_{2}{-}$ электролит”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 615–619 |
| 58. |
Р. Н. Бекимбетов, Г. А. Медведкин, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, “Экспериментальное обнаружение анизотропии оптического поглощения в кристаллах $Mn\,In_2\,Te_4$ и $Mn\,Ga_2\,Te_4$”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1040–1043 |
|
1986 |
| 59. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, Ю. К. Ундалов, “Фотоэлектрические свойства изотипного гетероперехода
$n$-SnO$_{2}{-}n$-CdGeP$_{2}\langle$In$\rangle$”, ЖТФ, 56:10 (1986), 1989–1993 |
| 60. |
Н. П. Есина, Н. Н. Константинова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, “Фотолюминесценция монокристалллов
$n$-CdSnAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1533–1535 |
|
1985 |
| 61. |
Ю. В. Рудь, М. Сергинов, “Влияние отклонений от стехиометрии на люминесценцию
CdSiAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1718–1720 |
|
1984 |
| 62. |
Ю. В. Рудь, З. А. Паримбеков, “Обнаружение 100%-ной степени линейной поляризации фотолюминесценции
анизотропных полупроводников”, ЖТФ, 54:11 (1984), 2253–2255 |
|
1983 |
| 63. |
А. А. Абдурахимов, Ю. В. Рудь, К. В. Санин, М. Сергинов, В. Е. Скорюкин, “Гетерофотоэлементы In$_{2}$O$_{3}{-}$соединения
A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$”, ЖТФ, 53:2 (1983), 325–328 |
| 64. |
Ю. В. Рудь, “Поляризация примесной фотолюминесценции кристаллов
CdSiAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2208–2211 |
| 65. |
В. Н. Брудный, А. И. Потапов, Ю. В. Рудь, М. Сергинов, “Электрическте свойства твердых растворов
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$,
облученных ионами H$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1347–1348 |
| 66. |
Ю. В. Рудь, М. Сергинов, В. Е. Скорюкин, “Гетеропереходы твердофазного замещения
$p$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$SnAs$_{2}{-}n$-CdSnAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1265–1269 |
| 67. |
Ю. В. Рудь, В. Е. Скорюкин, “Фотопроводимость и определение фундаментальных параметров одноосных
кристаллов (на примере CdGeP$_{2}\langle\text{Cu}\rangle$)”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 426–430 |
| 68. |
З. А. Паримбеков, Ю. В. Рудь, “Фотолюминесценция кристаллов ромбической модификации
AgInS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 341–344 |
| 69. |
Ю. В. Рудь, З. А. Паримбеков, “Поляризация люминесценции монокристаллов
AgInS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 281–287 |
|
1974 |
| 70. |
В. С. Григорьева, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. Таштанова, А. А. Яковенко, “Явления переноса в твердом и жидком $\mathrm{ZnGeP}_2$”, Докл. АН СССР, 216:2 (1974), 303–305 |
| 71. |
Г. К. Аверкиева, А. Н. Именков, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. Таштанова, “Электрические свойства и фотопроводимость кристаллов $\mathrm{ZnSiAs}_2$ $n$-типа”, Докл. АН СССР, 216:1 (1974), 56–58 |
|
1969 |
| 72. |
Ю. В. Рудь, К. В. Санин, “О новой области применения некоторых полупроводниковых соединений”, Докл. АН СССР, 189:2 (1969), 297–298 |
|
1965 |
| 73. |
Ф. П. Кесаманлы, С. Г. Кроитору, Ю. В. Рудь, В. В. Соболев, Н. Н. Сырбу, “Энергетическая структура зон некоторых кристаллов группы
$\mathrm{A}^{\mathrm{II}}\mathrm{B}^{\mathrm{IV}}\mathrm{C}_2^{\mathrm{V}}$”, Докл. АН СССР, 163:4 (1965), 868–869 |
| 74. |
Ф. П. Кесаманлы, Ю. В. Рудь, С. В. Слободчиков, “О фотоэлектрических свойствах кристаллов $p$-$\mathrm{ZnSiAs}_2$ и $p$-$\mathrm{CdGeAs}_2$”, Докл. АН СССР, 161:5 (1965), 1065–1066 |
| 75. |
А. А. Вайполин, Н. А. Горюнова, Э. О. Османов, Ю. В. Рудь, “Новые стеклообразные соединения”, Докл. АН СССР, 160:3 (1965), 633–634 |
|
1964 |
| 76. |
А. А. Вайполин, Н. А. Горюнова, Э. О. Османов, Ю. В. Рудь, Д. Н. Третьяков, “Исследование кристаллов $\mathrm{ZnSiP}_2$, $\mathrm{CdSiP}_2$ и $\mathrm{ZnSiAs}_2$”, Докл. АН СССР, 154:5 (1964), 1116–1119 |
|
Обратная связь: