|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
В. В. Харитонова, Д. М. Митин, А. В. Павлов, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, Ф. М. Кочетков, К. Ю. Шугуров, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Газовый сенсор на основе кремниевых нитевидных нанокристаллов и одностенных углеродных нанотрубок для детектирования паров изопропилового спирта при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 52:16 (2026), 8–12   |
| 2. |
Е. В. Никитина, А. К. Кавеев, В. В. Федоров, О. А. Синицкая, С. Н. Хруль, Г. Е. Яковлев, А. С. Гудовских, “Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GaPN(As) на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 52:8 (2026), 18–21 |
|
2025 |
| 3. |
Э. Я. Ярчук, А. В. Уваров, А. А. Максимова, А. С. Гудовских, “Оптические и фотоэлектрические свойства многослойных структур GaN|InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения”, Физика твердого тела, 67:12 (2025), 2390–2393 |
| 4. |
В. А. Поздеев, Е. А. Вячеславова, О. П. Михайлов, А. А. Максимова, А. С. Гудовских, А. В. Уваров, “Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов $b$-Si/PEDOT:PSS”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 286–290 |
| 5. |
О. П. Михайлов, А. И. Баранов, А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 223–226 |
| 6. |
А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 18–22 |
|
2024 |
| 7. |
А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, Э. Я. Ярчук, А. С. Гудовских, “Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2152–2154 |
| 8. |
А. В. Уваров, В. А. Поздеев, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 569–572 |
| 9. |
А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, “Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 3–6 |
| 10. |
О. П. Михайлов, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, Е. И. Теруков, А. В. Кочергин, Н. Р. Костик, О. К. Атабоев, “Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 50:2 (2024), 23–27 |
|
2023 |
| 11. |
А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2198–2200 |
| 12. |
Э. Я. Ярчук, Е. А. Вячеславова, М. З. Шварц, А. С. Гудовских, “Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 522–525 |
| 13. |
А. С. Гудовских, А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, “Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 406–413 |
| 14. |
В. А. Поздеев, А. В. Уваров, А. С. Гудовских, Е. А. Вячеславова, “Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 62–64 |
| 15. |
А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 52–55 |
| 16. |
А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. С. Гудовских, “Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 16–20 |
|
2022 |
| 17. |
Э. И. Агеев, В. А. Иудин, Я. Сун, Е. А. Петрова, П. Н. Кустов, В. В. Ярошенко, Ю. В. Михайлова, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, Д. А. Зуев, “Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022), 213–217 ; E. I. Ageev, V. A. Iudin, Y. Sun, E. A. Petrova, P. N. Kustov, V. V. Yaroshenko, Yu. V. Mikhailova, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, D. A. Zuev, “Resonant hybrid metalвђ“dielectric nanostructures for local color generation”, JETP Letters, 115:4 (2022), 186–189 |
4
|
| 18. |
А. В. Бабичев, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Д. В. Денисов, Н. А. Фоминых, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, И. А. Мельниченко, П. А. Юнин, В. Н. Неведомский, М. В. Токарев, Б. Я. Бер, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1002–1010 |
| 19. |
А. В. Уваров, В. А. Шаров, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 213–220 |
1
|
|
2021 |
| 20. |
Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364 ; D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, A. O. Monastyrenko, A. S. Gudovskikh, “Study of the influence of design features of a magnetron sputtering chamber on the electrical and optical properties of indium-tin oxide films”, Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414 |
1
|
| 21. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. О. Монастыренко, “Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 31–33 |
| 22. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, К. Ю. Шугуров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 47–50 |
1
|
| 23. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 24–27 ; A. I. Baranov, D. A. Kudriashov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. S. Gudovskikh, “Admittance spectroscopy of solar cells based on selective contact MoO$_{x}$/Si junction”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 785–788 |
3
|
| 24. |
А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 51–54 ; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 |
5
|
| 25. |
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51 ; A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “A selective BP/Si contact formed by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98 |
6
|
|
2020 |
| 26. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. A. Maksimova, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “Using MoO$_{x}$/$p$-Si selective contact for evaluation of the degradation of a near-surface region of silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248 |
1
|
|
2019 |
| 27. |
А. В. Уваров, К. С. Зеленцов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1095–1102 ; A. V. Uvarov, K. S. Zelentsov, A. S. Gudovskikh, “Effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of GaP/Si heterostructures fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1075–1081 |
2
|
|
2018 |
| 28. |
Д. В. Пермяков, И. С. Синев, С. К. Сычев, А. С. Гудовских, А. А. Богданов, А. В. Лавриненко, А. К. Самусев, “Визуализация изочастотных контуров сильно локализованных волноводных мод в планарных диэлектрических структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 12–17 ; D. V. Permyakov, I. S. Sinev, S. K. Sychev, A. S. Gudovskikh, A. A. Bogdanov, A. V. Lavrinenko, A. K. Samusev, “Visualization of isofrequency contours of strongly localized waveguide modes in planar dielectric structures”, JETP Letters, 107:1 (2018), 10–14   |
9
|
| 29. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, “Precision chemical etching of GaP(NAs) epitaxial layers for the formation of monolithic optoelectronic devices”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781 |
1
|
| 30. |
В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 402–408 ; V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. O. Monastyrenko, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Formation of Cu$_{2}$O and ZnO crystal layers by magnetron assisted sputtering and their optical characterization”, Semiconductors, 52:3 (2018), 383–389 |
5
|
|
2017 |
| 31. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. В. Бабичев, А. В. Филимонов, А. М. Можаров, В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 111–115 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. V. Babichev, A. V. Filimonov, A. M. Mozharov, V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Nanoscale Cu$_2$O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies”, Semiconductors, 51:1 (2017), 110–114 |
15
|
| 32. |
С. Б. Мусалинов, А. П. Анзулевич, И. В. Бычков, А. С. Гудовских, М. З. Шварц, “Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 89–93 ; S. B. Musalinov, A. P. Anzulevich, I. V. Bychkov, A. S. Gudovskikh, M. Z. Shvarts, “Influence of double- and triple-layer antireflection coatings on the formation of photocurrents in multijunction III–V solar cells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 88–92 |
6
|
|
2016 |
| 33. |
А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1543–1547 ; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 |
8
|
| 34. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
|
2015 |
| 35. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1448–1452 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, A. V. Babichev, D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, I. A. Morozov, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, “Study of multiple InAs/GaAs quantum-well structures by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404 |
3
|
| 36. |
М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 569–572 ; M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562 |
22
|
| 37. |
А. И. Баранов, А. С. Гудовских, К. С. Зеленцов, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 534–538 ; A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Admittance spectroscopy of solar cells based on GaPNAs layers”, Semiconductors, 49:4 (2015), 524–528 |
2
|
| 38. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. М. Можаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин, Ж. И. Алфёров, “Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 15–23 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. M. Mozharov, A. D. Bolshakov, I. S. Mukhin, Zh. I. Alferov, “Simulation of characteristics of double-junction solar cells based on ZnSiP$_2$ heterostructures on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1120–1123 |
7
|
|
2014 |
| 39. |
И. А. Морозов, А. С. Гудовских, “Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 475–480 ; I. A. Morozov, A. S. Gudovskikh, “Study of GaInP solar-cell interfaces by variable-flux spectral measurements”, Semiconductors, 48:4 (2014), 459–464 |
1
|
| 40. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 396–401 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Design of multijunction GaPNAs/Si heterostructure solar cells by computer simulation”, Semiconductors, 48:3 (2014), 381–386 |
13
|
|
2013 |
| 41. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, А. С. Гудовских, Е. М. Ершенко, С. А. Кудряшов, Е. И. Теруков, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1264–1269 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, A. S. Gudovskikh, E. M. Ershenko, S. A. Kudryashov, E. I. Terukov, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Analysis of light-induced degradation mechanisms in $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H solar photovoltaics”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1252–1257 |
| 42. |
А. С. Гудовских, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, К. С. Зеленцов, Е. М. Ершенко, Д. А. Кудряшов, С. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Р. Терра, Е. И. Теруков, “Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1094–1101 ; A. S. Gudovskikh, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, K. S. Zelentsov, E. M. Ershenko, D. A. Kudryashov, S. A. Kudryashov, A. O. Monastyrenko, A. R. Terra, E. I. Terukov, “Study of the properties of solar cells based on $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$ structures by admittance spectroscopy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1090–1096 |
3
|
| 43. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, А. С. Гудовских, Д. Л. Орехов, Е. И. Теруков, Н. Х. Тимошина, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 667–674 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', A. S. Gudovskikh, D. L. Orekhov, E. I. Terukov, N. Kh. Timoshina, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Study of the light-induced degradation of tandem $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H photovoltaic converters”, Semiconductors, 47:5 (2013), 679–685 |
7
|
| 44. |
А. И. Баранов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013), 88–94 ; A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Photoelectric properties of solar cells based on GaPNAs/GaP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1117–1120 |
18
|
|
2010 |
| 45. |
Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1568–1576 ; N. A. Kalyuzhnyy, A. S. Gudovskikh, V. V. Evstropov, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Germanium subcells for multijunction GaInP/GaInAs/Ge solar cells”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1520–1528 |
24
|
|
2009 |
| 46. |
А. С. Гудовских, Н. А. Калюжный, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009), 1403–1408 ; A. S. Gudovskikh, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Properties of interfaces in GaInP solar cells”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1363–1368 |
11
|
|
Обратная связь: