|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1125–1131   |
| 2. |
И. В. Осинных, И. А. Александров, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 802–807 |
| 3. |
И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 677–684 |
|
2021 |
| 4. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 39–42 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 |
1
|
|
2019 |
| 5. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 48–51 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 |
2
|
|
2018 |
| 6. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
| 7. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиленная люминесценция сильнолегированных Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N-структур при оптическом возбуждении”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 215–221 [P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221   ] |
|
2017 |
| 8. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Дм. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 5–13 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 |
2
|
|
2014 |
| 9. |
И. В. Осинных, К. С. Журавлев, Т. В. Малин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, “Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1164–1168 ; I. V. Osinnykh, K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, “Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1134–1138 |
9
|
|
