Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Гец Дмитрий Станиславович

кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person139888
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2018
1. Д. С. Гец, Е. Ю. Тигунцева, А. С. Берестенников, Т. Г. Ляшенко, А. П. Пушкарёв, С. В. Макаров, А. А. Захидов, “Фотоиндуцированная миграция ионов в оптически резонансных перовскитных наночастицах”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  768–775  mathnet  elib; D. S. Gets, E. Yu. Tiguntseva, A. S. Berestennikov, T. G. Lyashenko, A. P. Pushkarev, S. V. Makarov, A. A. Zakhidov, “Photoinduced migration of ions in optically resonant perovskite nanoparticles”, JETP Letters, 107:12 (2018), 742–748  isi  elib  scopus 10
2016
2. N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, T. V. L'vova, A. M. Malyarenko, “Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 466–477 1
2015
3. N. T. Bagraev, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, E. N. Kalabukhova, L. E. Klyachkin, A. A. Koudryavtsev, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, D. V. Savchenko, B. D. Shanina, “Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  663–671  mathnet  elib; Semiconductors, 49:5 (2015), 649–657 1
2014
4. Э. Ю. Даниловский, Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Д. С. Гец, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1549–1554  mathnet  elib; È. Yu. Danilovskii, N. T. Bagraev, A. L. Chernev, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, “Biosensors based on a method for determining the conductance matrix of multiterminal semiconductor nanostructures”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1512–1517
5. Н. Т. Баграев, Д. С. Гец, Е. Н. Калабухова, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. А. Машков, Д. В. Савченко, Б. Д. Шанина, “Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в наноструктурах на основе 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1503–1516  mathnet  elib; N. T. Bagraev, D. S. Gets, E. N. Kalabukhova, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, D. V. Savchenko, B. D. Shanina, “Electrically-detected electron paramagnetic resonance of point centers in 6H-SiC nanostructures”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1467–1480 8
2013
6. Н. Т. Баграев, Д. С. Гец, Э. Ю. Даниловский, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, “Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  503–509  mathnet  elib; N. T. Bagraev, D. S. Gets, È. Yu. Danilovskii, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, “On the electrically detected cyclotron resonance of holes in silicon nanostructures”, Semiconductors, 47:4 (2013), 525–531 3

Организации