|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. А. Тарасенко, А. В. Пошакинский, Е. Л. Ивченко, И. Степанов, М. Эрсфельд, М. Лепса, Б. Бешотен, “Эффект дрожащего движения электронов с расщепленными по спину состояниями”, Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018), 348–351   ; S. A. Tarasenko, A. V. Poshakinskiy, E. L. Ivchenko, I. Stepanov, M. Ersfeld, M. Lepsa, B. Beschoten, “Zitterbewegung of spin split electrons”, JETP Letters, 108:5 (2018), 326–328   |
12
|
|
2013 |
| 2. |
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, M. I. Lepsa, D. Gruetzmacher, А. Н. Титков, “Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 53–60 ; M. S. Dunaevskii, P. A. Alekseev, M. I. Lepsa, D. Gruetzmacher, A. N. Titkov, “Charge accumulation on the surface of GaAs nanowires near the Schottky contact”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 209–212 |
2
|
|
2012 |
| 3. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. В. Стовпяга, M. Lepsa, А. Н. Титков, “Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 659–664 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. V. Stovpyaga, M. Lepsa, A. N. Titkov, “Measurement of Young’s modulus of GaAs nanowires growing obliquely on a substrate”, Semiconductors, 46:5 (2012), 641–646 |
21
|
|
