|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. Свинцов, Ж. Девизорова, “Эффект фотонного увлечения на границе металла и двумерного полупроводника”, Письма в ЖЭТФ, 121:4 (2025), 294–305  ; D. Svintsov, Zh. Devizorova, “Photon drag at a junction between a metal and a 2D semiconductor”, JETP Letters, 121:4 (2025), 281–291 |
1
|
| 2. |
А. С. Петров, Д. А. Свинцов, “Медленная межзонная рекомбинация как причина аномального термоэлектрического отклика $p{-}n$ переходов”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 228–234 ; A. S. Petrov, D. A. Svintsov, “Slow interband recombination promotes an anomalous thermoelectric response of the $p-n$ junctions”, JETP Letters, 121:3 (2025), 214–219 |
| 3. |
Д. Свинцов, А. Шабанов, “Точная теория краевой дифракции и возбуждения поперечных электрических плазмонов на двумерных контактах”, Письма в ЖЭТФ, 121:2 (2025), 129–136 ; D. A. Svintsov, A. V. Shabanov, “Exact theory of edge diffraction and launching of transverse electric plasmons at two-dimensional junctions”, JETP Letters, 121:2 (2025), 119–125 |
1
|
|
2024 |
| 4. |
А. С. Петров, Д. А. Свинцов, “Высокочастотный эффект Холла и поперечно-электрические гальваномагнитные волны в двумерных электронных системах с постоянным током”, Письма в ЖЭТФ, 119:10 (2024), 768–774 ; A. S. Petrov, D. A. Svintsov, “High-frequency Hall effect and transverse electric galvanomagnetic waves in current-biased 2D electron systems”, JETP Letters, 119:10 (2024), 800–806 |
3
|
| 5. |
I. Safonov, A. S. Petrov, D. Svintsov, “Selective damping of plasmons in coupled two-dimensional systems by Coulomb drag”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 139–140 ; JETP Letters, 119:2 (2024), 136–143 |
1
|
|
2016 |
| 6. |
M. Rudenko, D. Svintsov, S. Filippov, V. Vyurkov, “Single-electron solitons in magnetic field”, Proc. SPIE, 10224 (2016), 10242–9   |
|
2013 |
| 7. |
Д. А. Свинцов, В. В. Вьюрков, В. Ф. Лукичёв, А. А. Орликовский, А. Буренков, Р. Охснер, “Туннельные полевые транзисторы на основе графена”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 244–250  ; D. A. Svintsov, V. V. Vyurkov, V. F. Lukichev, A. A. Orlikovsky, A. Burenkov, R. Oechsner, “Tunnel field-effect transistors with graphene channels”, Semiconductors, 47:2 (2013), 279–284 |
26
|
|
