|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, К. А. Мажукина, А. А. Янцер, В. И. Гавриленко, С. А. Краев, Е. А. Архипова, А. В. Окомельков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке”, Письма в ЖТФ, 52:5 (2026), 9–13   |
|
2025 |
| 2. |
Е. Н. Кирьянова, В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, В. Р. Барышев, А. А. Янцер, К. А. Мажукина, М. А. Фадеев, Н. С. Гинзбург, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней”, Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 608–613 |
| 3. |
Р. Х. Жукавин, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, Д. А. Постнов, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, В. И. Гавриленко, “Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 433–438 |
| 4. |
А. А. Разова, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, В. А. Вербус, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 7–10 |
|
2024 |
| 5. |
В. И. Гавриленко, Д. И. Курицын, М. А. Фадеев, А. В. Антонов, А. А. Янцер, К. А. Ковалевский, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, Р. Х. Жукавин, “Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 196–201 |
|
2023 |
| 6. |
К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 311–316 ; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 |
4
|
| 7. |
М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 421–425 |
|
2022 |
| 8. |
В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478 |
|
2021 |
| 9. |
В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 922–926 ; V. V. Utochkin, A. A. Dubinov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Effect of internal optical losses on the generation of mid-IR stimulated emission in waveguide heterostructures with HgCdTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902 |
1
|
| 10. |
А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 455–459 |
1
|
| 11. |
С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 51–54 ; S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 |
2
|
|
2020 |
| 12. |
В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1169–1173 ; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 |
3
|
| 13. |
Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1163–1168 ; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370 |
| 14. |
В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932 ; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 |
2
|
|
2019 |
| 15. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.- В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов, “Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, N. S. Kulikov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, H. W. Hubers, F. Teppe, S. V. Morozov, “Features of photoluminescence of double acceptors in HgTe/CdHgTe heterostructures with quantum wells in a terahertz range”, JETP Letters, 109:10 (2019), 657–662   |
10
|
| 16. |
С. С. Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада, К. Консежо, В. Десра, Б. Жуо, В. Кнап, М. А. Фадеев, А. М. Кадыков, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Г. Буасье, Э. Турнье, В. И. Гавриленко, Ф. Тепп, “Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97 ; S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, G. Boissier, E. Tournié, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Terahertz spectroscopy of two-dimensional semimetal in three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well”, JETP Letters, 109:2 (2019), 96–101 |
7
|
| 17. |
В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1178–1181 ; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 |
4
|
| 18. |
М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558 [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558 ] |
2
|
|
2018 |
| 19. |
В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267 ; V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 |
7
|
| 20. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko, “Calculation of multiply charged states of impurity-defect centers in epitaxial Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te layers”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374 |
4
|
| 21. |
V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 464 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441 |
|
2017 |
| 22. |
В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620 ; V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561 |
7
|
|
2016 |
| 23. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1713–1719 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. V. Morozov, S. P. Suprun, V. S. Epov, A. V. Ikonnikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, “Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1684–1690 |
9
|
| 24. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 |
6
|
| 25. |
В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684 ; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 |
7
|
|
1997 |
| 26. |
B. S. Fedorov, M. A. Fadeev, L. T. Eremenko, “Tris(nitroxymethyl)methylamine and tris(nitroxymethyl)nitrosomethane”, Mendeleev Commun., 7:1 (1997), 40–41 |
3
|
|
Обратная связь: