|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
А. Я. Шик, “Полупроводниковые структуры с $\delta$-слоями”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1161–1181 |
| 2. |
А. Я. Шик, “Краевая энергетическая релаксация в квантовом эффекте Холла”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 855–860 |
| 3. |
С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Эффекты экранировки при образовании квазиодномерных электронных
каналов”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 763–766 |
|
1991 |
| 4. |
Ю. Л. Иванов, А. Я. Шик, “Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных
электронов”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1670–1673 |
| 5. |
И. И. Бойко, А. Я. Шик, “Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1094–1097 |
|
1990 |
| 6. |
Л. В. Асрян, С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2121–2125 |
| 7. |
А. Г. Петров, А. Я. Шик, “Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1431–1436 |
| 8. |
А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, Е. М. Семашко, М. А. Стовповой, А. Я. Шик, “Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для
полевого транзистора”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1145–1147 |
| 9. |
Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик, “Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных
электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 653–659 |
| 10. |
О. А. Мезрин, С. И. Трошков, А. Я. Шик, “Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 638–646 |
|
1989 |
| 11. |
С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Контактные явления в двумерном электронном газе”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1113–1116 |
| 12. |
А. Я. Шик, “Эффекты деполяризации и спектр фоточувствительности структур
с квантовыми ямами”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 40–43 |
|
1988 |
| 13. |
Л. В. Асрян, А. Я. Шик, “Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика
в $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2199–2203 |
| 14. |
С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства
полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2192–2198 |
| 15. |
А. Я. Шик, “Оптическое поглощение на гетерогранице”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1843–1847 |
| 16. |
А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов
на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1091–1095 |
| 17. |
М. Ю. Мартисов, А. Я. Шик, “Примесное рассеяние и межуровневые переходы в двумерных электронных
системах”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1075–1079 |
| 18. |
Л. В. Асрян, А. Я. Шик, “Обратный ток и фототок $p{-}n$-перехода с высокой концентрацией
рекомбинационных центров”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 613–617 |
| 19. |
А. М. Крещук, М. Ю. Мартисов, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного
электронного газа”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 604–608 |
| 20. |
С. В. Козырев, А. Я. Шик, “Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах
с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 105–111 |
|
1987 |
| 21. |
Л. В. Асрян, С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Неравновесные носители заряда в неоднородных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1765–1770 |
| 22. |
М. Ю. Мартисов, А. Я. Шик, “Электрон-электронное взаимодействие и межуровневые переходы
в двумерных электронных системах”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1474–1477 |
| 23. |
А. Я. Шик, “Рецензия на книгу «Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры» (Molecular Beam
Epitaxy and Heterestructures / Ed. by L. L. Chang, K. Ploog. Dordrecht: Niihoff, 1985. 711 p.)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 969–970 |
| 24. |
Л. В. Асрян, Ю. А. Половко, А. Я. Шик, “Разделение и рекомбинация неравновесных носителей в области
пространственного заряда $p{-}n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 880–885 |
| 25. |
Л. И. Магарилл, А. А. Романов, А. Я. Шик, “Межзонная люминесценция квантовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 404–410 |
| 26. |
М. Ю. Мартисов, А. Я. Шик, “Межподзонное излучение размерно-квантованных структур”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 344–347 |
|
1986 |
| 27. |
В. М. Арутюнян, К. Г. Бегоян, Ю. Г. Зарецкий, А. Г. Саркисян, Л. А. Тимохина, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Оптические свойства двухфазной системы металл–диэлектрик Cu$-$ZnO”, Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2707–2710 |
| 28. |
А. Я. Шик, “Внутризонная фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1598–1604 |
| 29. |
М. Ю. Мартисов, А. Я. Шик, “Межподзонная фотопроводимость двумерных электронных систем”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1553–1556 |
| 30. |
А. Я. Шик, “Рецензия на книгу В.Н. Добровольского, В.Г. Литовченко
«Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников»”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1148–1149 |
| 31. |
А. Я. Шик, “Ответ на письмо в редакцию Орешкина П. Т. «О релаксационной спектроскопии глубоких центров»”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 384 ; A. Ya. Shik, “Relaxation spectroscopy of deep centers — reply”, Semiconductors, 20:2 (1986), 241 |
| 32. |
А. Я. Вуль, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 257–261 |
| 33. |
Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Отражение света двухфазными смесями металл–диэлектрик”, Письма в ЖТФ, 12:2 (1986), 103–106 |
|
1985 |
| 34. |
О. А. Мезрин, А. Я. Шик, “Квантовый эффект Холла в полуметаллических тонкопленочных структурах”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2258–2263 |
| 35. |
С. В. Козырев, А. Я. Шик, “Захват носителей в квантовые ямы гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1667–1670 |
| 36. |
А. Я. Шик, “Расчет полупроводниковой структуры с квазиодномерным электронным
газом”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1488–1491 |
| 37. |
А. Я. Шик, “Свойства МДП структур со ступенчатым диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 750–753 |
|
1984 |
| 38. |
А. Я. Шик, “Об определении параметров глубоких центров методом емкостной
спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1759–1762 |
| 39. |
С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Статистические флуктуации зон в многокомпонентных твердых растворах”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1700–1702 |
| 40. |
С. Г. Петросян, В. В. Чалдышев, А. Я. Шик, “Люминесценция неоднородных полупроводниковых твердых растворов”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1565–1572 |
| 41. |
А. Я. Шик, “Аннотация книги Ц. Андо, А. Фаулера, Ф. Стерна
«Электронные свойства двумерных систем»”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 965–966 |
| 42. |
А. Я. Шик, “Расчет неоднородных слоев обогащения и инверсии в МДП-структурах”, Письма в ЖТФ, 10:12 (1984), 755–760 |
|
1983 |
| 43. |
А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев, “Электронные явления в неидеальных гетеропереходах”, Докл. АН СССР, 270:3 (1983), 593–596 |
| 44. |
А. Я. Шик, “Перколяционный эффект Холла в сильном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2220–2222 |
| 45. |
С. Г. Петросян, А. Я. Шик, “Обратный ток $p{-}n$-переходов в неоднородных полупроводниковых
твердых растворах”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1575–1578 |
| 46. |
А. Я. Шик, “Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1295–1299 |
| 47. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, А. Я. Шик, “К теории квантового эффекта Холла в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1073–1080 |
|