|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, J. M. Hartmann, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, “Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 404–409   ; M. V. Shaleev, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, J. M. Hartmann, O. A. Kuznetsov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasil'nik, “Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si(001) buffer layers”, Semiconductors, 47:3 (2013), 427–432 |
3
|
|
1984 |
| 2. |
М. М. Кечиев, А. А. Костенко, В. Д. Курек, О. А. Кузнецов, В. А. Толомасов, О. Н. Филатов, Г. И. Хлопов, В. П. Шестопалов, “Преобразование энергии электромагнитных волн в электрический ток объемным полупроводником со сверхрешеткой”, Докл. АН СССР, 279:3 (1984), 606–608 |
|
1983 |
| 3. |
А. А. Костенко, О. А. Кузнецов, В. А. Толомасов, О. Н. Филатов, Г. И. Хлопов, В. П. Шестопалов, “Нелинейные явления в объемном полупроводнике со сверхрешеткой в миллиметровом диапазоне волн”, Докл. АН СССР, 271:6 (1983), 1360–1362 |
|
