Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Арсентьев Иван Никитич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 59
Научных статей: 57

Статистика просмотров:
Эта страница:314
Страницы публикаций:5624
Полные тексты:2529
Списки литературы:46
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person148472
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552  mathnet  elib
2021
2. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026  mathnet  elib
3. П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
4. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 2
5. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, “Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 3
2020
6. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 3
7. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 2
2019
8. П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин, “Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, E. V. Fomin, N. A. Pikhtin, “On the phase composition, morphology, and optical and electronic characteristics of AlN nanofilms grown on misoriented GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1550–1557 1
9. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130
10. Б. В. Сладкопевцев, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, И. С. Шашкин, И. Я. Миттова, Е. В. Томина, А. А. Самсонов, П. В. Костенко, “Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1074–1079  mathnet  elib; B. V. Sladkopevtsev, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, I. S. Shashkin, I. Ya. Mittova, E. V. Tomina, A. A. Samsonov, P. V. Kostenko, “Investigation of the current–voltage characteristics of new MnO$_{2}$/GaAs(100) and V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100) heterostructures subjected to heat treatment”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1054–1059
11. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 2
12. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71
13. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551  mathnet  elib [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551  isi  scopus] 2
2018
14. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 2
15. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 1
16. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 3
17. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 5
2017
18. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 1
19. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Д. Н. Николаев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 2
20. П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
2016
21. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Я. В. Лубянский, И. С. Тарасов, “Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272
22. П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 1
2015
23. Н. А. Берт, А. Д. Бондарев, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, Я. В. Лубянский, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, А. Н. Петрунов, Н. А. Пихтин, К. Р. Аюшева, И. Н. Арсентьев, И. С. Тарасов, “Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433  mathnet  elib; N. A. Bert, A. D. Bondarev, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, Ya. V. Lubyanskiy, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, A. N. Petrunov, N. A. Pikhtin, K. R. Ayusheva, I. N. Arsent'ev, I. S. Tarasov, “Properties of AlN films deposited by reactive ion-plasma sputtering”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1383–1387 11
24. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, А. В. Попов, “Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, A. V. Popov, “Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) hetermostructures with anomalously high carrier mobility”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1019–1024 1
25. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Investigations of nanodimensional Al$_2$O$_3$ films deposited by ion-plasma sputtering onto porous silicon”, Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920 24
2014
26. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, А. С. Леньшин, А. Д. Бондарев, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, A. S. Len'shin, A. D. Bondarev, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Structure and optical properties of thin Al$_2$O$_3$ films deposited by the reactive ion-plasma sputtering method on GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1527–1531 9
27. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 10
28. П. В. Середин, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$ alloys”, Semiconductors, 48:1 (2014), 21–29 26
29. Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, С. В. Кузубов, Ю. Н. Власов, Г. А. Панин, А. В. Кортунов, “Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена”, Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  20–26  mathnet  elib; N. N. Bezryadin, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, S. V. Kuzubov, Yu. N. Vlasov, G. A. Panin, A. V. Kortunov, “Passivation of the GaP(111) surface by treatment in selenium vapors”, Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 104–107 1
2013
30. В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов, “Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128  mathnet  elib; V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, “Semiconductor lasers with internal wavelength selection”, Semiconductors, 47:1 (2013), 122–126 8
31. П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, “Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14  mathnet  elib; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, “Properties of epitaxial (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$ alloys grown by MOCVD autoepitaxy”, Semiconductors, 47:1 (2013), 7–12 7
32. П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, T. Prutskij, “Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8  mathnet  elib; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, T. Prutskij, “Superstructured ordering in Al$_x$Ga$_{1-x}$As and Ga$_x$In$_{1-x}$P alloys”, Semiconductors, 47:1 (2013), 1–6 20
2012
33. Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, Ю. Н. Власов, А. А. Стародубцев, “Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний $n$-GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  756–760  mathnet  elib; N. N. Bezryadin, G. I. Kotov, I. N. Arsent'ev, Yu. N. Vlasov, A. A. Starodubtsev, “Effect of the finishing treatment of a gallium arsenide surface on the spectrum of electron states in $n$-GaAs (100)”, Semiconductors, 46:6 (2012), 736–740 7
34. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, А. С. Леньшин, М. С. Смирнов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, A. S. Len'shin, M. S. Smirnov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and spectral features of MOCVD Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/GaAs (100) alloys”, Semiconductors, 46:6 (2012), 719–729 18
1989
35. И. Н. Арсентьев, Г. Р. Бежанишвили, П. П. Буинов, Л. С. Вавилова, Н. А. Стругов, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, “Спектральные характеристики InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$ ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных для накачки YAG : Nd$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  45–49  mathnet  isi
1988
36. Ж. И. Алфрове, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, “Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034  mathnet
37. Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комиссаров, А. В. Кочергин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, “Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702  mathnet  isi
38. И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597  mathnet  isi
1987
39. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503  mathnet
40. И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181  mathnet
41. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164  mathnet
42. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова, “Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374  mathnet  isi
1986
43. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149  mathnet
44. Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712  mathnet
1985
45. Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118  mathnet
46. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114  mathnet
47. Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  136–138  mathnet
48. Ж. И. Алфёров, Л. С. Вавилова, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, “Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157  mathnet  isi
49. Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209  mathnet  isi
1984
50. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060  mathnet
51. Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045  mathnet
52. Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659  mathnet
53. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Р. С. Игнаткина, “Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758  mathnet
54. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165  mathnet
1983
55. И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  843–846  mathnet
56. А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717  mathnet
57. Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, Э. В. Тулашвили, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, “Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  242–246  mathnet
2013
58. П. В. Середин, Э. П. Домашевская, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, “Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$”, Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057  mathnet  elib; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, “Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$ solid solutions”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2169–2172
59. П. В. Середин, В. Е. Терновая, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij, “Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049  mathnet  elib; P. V. Seredin, V. E. Ternovaya, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij, “X-ray diffraction studies of heterostructures based on solid solutions Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2161–2164

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025