|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840   ; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998 |
|
2018 |
| 2. |
D. M. Mitin, F. Yu. Soldatenkov, A. M. Mozharov, A. A. Vasil’ev, V. V. Neplokh, I. S. Mukhin, “Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 789–792  |
3
|
| 3. |
A. M. Mozharov, A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin, I. S. Mukhin, “Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 475 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 489–492 |
4
|
|
