|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, Н. Н. Денисов, Ю. А. Добровольский, “Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 370–377   ; V. A. Smirnov, A. D. Mokrushin, N. N. Denisov, Yu. A. Dobrovolsky, “Field-effect transistor based on the proton conductivity of graphene oxide and nafion films”, Semiconductors, 52:3 (2018), 352–358 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, В. П. Васильев, Н. Н. Денисов, К. Н. Денисова, “Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 18–25 ; V. A. Smirnov, A. D. Mokrushin, V. P. Vasil’ev, N. N. Denisov, K. N. Denisova, “Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 671–673 |
4
|
|
2012 |
| 3. |
А. В. Леонов, А. Д. Мокрушин, Н. М. Омельяновская, “Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик–кремний–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 494–499 ; A. V. Leonov, A. D. Mokrushin, N. M. Omelyanovskaya, “Features of electron mobility in a thin silicon layer in an insulator–silicon–insulator structure”, Semiconductors, 46:4 (2012), 478–483 |
2
|
|
1989 |
| 4. |
А. Д. Мокрушин, А. В. Шишкин, И. А. Айзенберг, В. И. Гольданский, “Исследование радиационных дефектов в кварцевых стеклах позитронным и оптическим методами”, Докл. АН СССР, 308:2 (1989), 362–365 |
|
