|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1996 |
| 1. |
В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, “Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста”, Докл. РАН, 347:4 (1996), 469–471  |
|
1995 |
| 2. |
В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, “Обобщенная модель кинетики роста на вицинальной поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии”, Докл. РАН, 344:1 (1995), 40–42 |
|
1993 |
| 3. |
В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, “Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования”, Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577 |
|
1992 |
| 4. |
И. М. Гродненский, Ю. М. Дикаев, А. С. Руденко, К. В. Старостин, М. Л. Яссен, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, “Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1521–1528 |
| 5. |
И. Н. Котельников, В. А. Кокин, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. А. Ржанов, С. П. Анохина, “Характеристика и особенности проводимости приповерхностных $\delta$-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1462–1470 |
|
