|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев
в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2245–2247   |
| 2. |
С. И. Волков, Е. Н. Нагдаев, “Распад автомодулированной структуры в $Ga(As\,P)$ и его корреляция с деградацией светодиодов”, Письма в ЖТФ, 12:2 (1986), 106–112 |
|
