|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
А. В. Кружаев, И. А. Елагин, М. А. Павлейно, В. А. Дмитриев, А. М. Чалый, “Компьютерное моделирование и экспериментальное исследование переходных процессов в однофазном трансформаторе напряжения”, ЖТФ, 85:2 (2015), 31–38   ; A. V. Kruzhaev, I. A. Elagin, M. A. Pavleino, V. A. Dmitriev, A. M. Chalyi, “Computer simulation and experimental study of transient processes in a single-phase voltage transformer”, Tech. Phys., 60:2 (2015), 188–195 |
2
|
|
1992 |
| 2. |
К. В. Василевский, В. А. Дмитриев, В. В. Новожилов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Обращенная меза-структура из карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 28–31  |
| 3. |
В. А. Дмитриев, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный синий светодиод”, Письма в ЖТФ, 18:3 (1992), 19–23 |
|
1991 |
| 4. |
В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, М. А. Чернов, “Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной
жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 50–53 |
| 5. |
В. А. Дмитриев, Л. Б. Елфимов, Н. Д. Ильинская, С. В. Рендакова, “Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 77–80 |
| 6. |
В. А. Дмитриев, А. Е. Черенков, “Легирование карбида кремния азотом при бесконтейнерной жидкостной
эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 43–46 |
| 7. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 17:4 (1991), 1–5 |
|
1990 |
| 8. |
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Зеленые SiC-6H светодиоды”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 56–59 |
| 9. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Светодиод с $\lambda_{\max}\simeq 398$ нм”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990), 50–52 |
|
1989 |
| 10. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 39–43 |
| 11. |
И. М. Баранов, Н. А. Белов, В. А. Дмитриев, Н. Г. Иванова, Т. С. Кондратьева, И. П. Никитина, В. Е. Челноков, В. Ф. Шаталов, Р. Н. Эрлих, “Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на
кремнии”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 50–52 |
|
1988 |
| 12. |
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 664–669 |
| 13. |
В. Н. Андреев, И. М. Баранов, В. А. Дмитриев, А. В. Суворов, В. Е. Челноков, Ф. А. Чудновский, Э. М. Шер, А. В. Шумилов, А. Н. Янута, “Пленки ВТСП Y$-$Ba$-$Cu$-$O”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1779–1781 |
| 14. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988), 289–293 |
|
1987 |
| 15. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171 |
| 16. |
С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Динистор на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 991–993 |
| 17. |
С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, М. Е. Левинштейн, С. В. Рендакова, “О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 741–743 |
|
1986 |
| 18. |
В. Ф. Бритун, В. А. Дмитриев, И. В. Емельянова, Н. Г. Иванова, И. В. Попов, М. А. Чернов, В. Г. Циунелис, “Эпитаксиальные слои карбида кремния, полученные из
раствора–расплава”, ЖТФ, 56:1 (1986), 214–217 |
| 19. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур”, Письма в ЖТФ, 12:13 (1986), 773–776 |
| 20. |
В. А. Дмитриев, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Трехцветный сине-зелено-красный индикатор, сформированный на одном монокристалле”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 541–543 |
| 21. |
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. С. Родкин, В. Е. Челноков, “Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:7 (1986), 385–388 |
|
1985 |
| 22. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Туннельный диод на основе $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 976–978 |
| 23. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 246–248 |
| 24. |
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, И. В. Коркин, Я. В. Морозенко, И. В. Попов, Т. А. Сидорова, А. М. Стрельчук, В. Е. Челноков, “Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 238–241 |
|
