|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
| 1. |
М. Д. Шарков, К. Ю. Погребицкий, М. Е. Бойко, “Новый метод обработки данных спектроскопии EXAFS и его применение”, ЖТФ, 81:9 (2011), 134–139   ; M. D. Sharkov, K. Yu. Pogrebickii, M. E. Boiko, “New technique for EXAFS data processing and its application”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1353–1358 |
5
|
|
2010 |
| 2. |
К. Ю. Погребицкий, М. Д. Шарков, “Инновации в спектрометрии электронной эмиссии под воздействием рентгеновского излучения (XIEES)”, Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 753–758 ; K. Yu. Pogrebickii, M. D. Sharkov, “Innovations in X-ray-induced electron emission spectroscopy (XIEES)”, Semiconductors, 44:6 (2010), 723–728 |
2
|
|
2007 |
| 3. |
М. Д. Шарков, К. Ю. Погребицкий, С. Г. Конников, “Применение вариационного принципа с целью определения осцилляций дальней тонкой структуры рентгеновского поглощения”, ЖТФ, 77:8 (2007), 131–134 ; M. D. Sharkov, K. Yu. Pogrebickii, S. G. Konnikov, “Use of the variational principle with the aim of determining oscillations in the extended X-ray absorption fine structure”, Tech. Phys., 52:8 (2007), 1089–1092 |
3
|
| 4. |
M. D. Sharkov, K. Yu. Pogrebitsky, S. G. Konnikov, “Method for extracting of EXAFS oscillation function based on the variation principle”, Физика и техника полупроводников, 41:8 (2007), 904–907 ; Semiconductors, 41:8 (2007), 882–885 |
1
|
| 5. |
М. Д. Шарков, К. Ю. Погребицкий, С. Г. Конников, “Вариационный принцип в применении к анализу дальней тонкой структуры рентгеновского поглощения”, Письма в ЖТФ, 33:14 (2007), 72–79 ; M. D. Sharkov, K. Yu. Pogrebickii, S. G. Konnikov, “Variational principle in the EXAFS analysis”, Tech. Phys. Lett., 33:7 (2007), 619–621 |
2
|
|
2004 |
| 6. |
Л. А. Бакалейников, Е. Ю. Флегонтова, К. Ю. Погребицкий, И. В. Еремин, “Теоретические принципы работы полупроводникового детектора, основанного на $p$–$n$-переходе”, ЖТФ, 74:9 (2004), 77–85 ; Л. А. Bakaleynikov, E. Yu. Flegontova, K. Yu. Pogrebickii, I. V. Eremin, “Theoretical concepts of operation of a semiconductor detector based on a $p$–$n$ junction”, Tech. Phys., 49:9 (2004), 1181–1190 |
|
1992 |
| 7. |
Н. А. Берт, К. Ю. Погребицкий, И. П. Сошников, Ю. Н. Юрьев, “Основные закономерности распыления GaAs (001) ионами Ar$^{+}$
с энергией 1$-$9 кэВ”, ЖТФ, 62:4 (1992), 162–170  |
|
1990 |
| 8. |
К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. Б. Смирницкий, Н. Н. Фалеев, “Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной
гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 60:3 (1990), 123–128 |
| 9. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, К. Ю. Погребицкий, Б. В. Царенков, “Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной
эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания
супертонких слоев $A^{3}B^{5}$”, ЖТФ, 60:1 (1990), 165–169 |
| 10. |
В. В. Воробьева, А. М. Крещук, Т. Л. Макарова, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, “Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями
InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1026–1030 |
| 11. |
Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик, “Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных
электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 653–659 |
|
1988 |
| 12. |
Н. А. Берт, С. Г. Конников, А. В. Корольков, К. Ю. Погребицкий, “Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при
бомбардировке Ar$^{+}$-ионами”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 673–676 |
| 13. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176 |
|
1987 |
| 14. |
С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров
периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1745–1749 |
| 15. |
К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136 |
|
1986 |
| 16. |
И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев
${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2206–2211 |
| 17. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
| 18. |
В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 533–537 |
|
Обратная связь: