Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Попова Татьяна Борисовна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 18
Научных статей: 18

Статистика просмотров:
Эта страница:152
Страницы публикаций:1252
Полные тексты:529
кандидат физико-математических наук (1980)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Попова, Татьяна Борисовна. Электронно-зондовые исследования полупроводниковых гетероструктур на основе твёрдых растворов $Ga_x In_{1-x} As_y P_{1-y}$ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1980. - 233 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person160303
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=37305

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Р. В. Левин, Т. Б. Попова, А. С. Власов, “Фазовое расслоение в твердых растворах AlGaAsSb/GaSb”, Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  10–12  mathnet  elib
2023
2. В. А. Кравец, Т. Б. Попова, “О поведении натрия в стеклах R7/T7 при облучении электронным пучком”, Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1722–1726  mathnet  elib
3. А. А. Шакирова, Е. В. Дементьева, Т. Б. Попова, М. В. Заморянская, “Особенности люминесценции керамики на основе кубического (Zr$_{0.82-x}$Hf$_x$Y$_{0.17}$Eu$_{0.01}$)O$_{1.91}$”, Оптика и спектроскопия, 131:5 (2023),  621–625  mathnet  elib
2022
4. А. А. Шакирова, Г. А. Гусев, Е. В. Дементьева, А. А. Аверин, Т. Б. Попова, М. В. Заморянская, “Сенсибилизация ионов европия (Eu$^{3+}$) тербием (Tb$^{3+}$) в керамике на основе кубического диоксида циркония, стабилизированного иттрием”, Оптика и спектроскопия, 130:10 (2022),  1578–1582  mathnet  elib
5. Б. Р. Семягин, А. В. Колесников, М. А. Путято, В. В. Преображенский, Т. Б. Попова, В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, “Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  279–284  mathnet  elib
2019
6. Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518  mathnet  elib; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 3
7. Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25  mathnet  elib; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 1
2018
8. В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24  mathnet  elib; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 3
2017
9. М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62  mathnet  elib; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 3
2016
10. М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726  mathnet  elib; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 3
11. К. М. Макеев, В. Н. Гурин, Л. И. Деркаченко, М. П. Волков, А. С. Кузанян, А. А. Кузанян, Т. Б. Попова, Е. В. Иванова, “Получение кристаллов полиэлементных твердых растворов гексаборидов РЗМ”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  3–8  mathnet  elib; K. M. Makeev, V. N. Gurin, L. I. Derkachenko, M. P. Volkov, A. S. Kuzanyan, A. A. Kuzanyan, T. B. Popova, E. V. Ivanova, “Obtaining of crystals of polyelemental solid solutions of rare earth hexaborides”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2016), 1–3 3
1992
12. Г. К. Аверкиева, М. Е. Бойко, Н. Н. Константинова, Т. Б. Попова, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, “Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe”, Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2284–2286  mathnet  isi
1991
13. Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, К. Д. Моисеев, Н. А. Прокофьева, Т. Б. Попова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1639–1645  mathnet
1987
14. В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, С. А. Руколайне, Т. В. Чернева, М. К. Эбаноидзе, “Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом”, ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754  mathnet  isi
15. А. Ю. Наумов, С. А. Пермогоров, Т. Б. Попова, А. Н. Резницкий, В. Я. Жулай, “Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  350–353  mathnet
1986
16. А. Г. Арешкин, Г. С. Пекарь, Г. Н. Полисский, Т. Б. Попова, Л. Г. Суслина, Д. Л. Федоров, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов полупроводников Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se с различной кристаллической структурой”, Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3743–3745  mathnet  isi
17. М. Е. Компан, Г. Б. Венус, О. В. Димитрова, Б. Н. Литвин, Т. Б. Попова, “Спектры люминесценции суперионного проводника Na$_{5}$TbSi$_{4}$O$_{12}$”, Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1944–1946  mathnet  isi
18. С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025