|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС
лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 394–401  |
| 2. |
Т. И. Воронина, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, Ю. П. Яковлев, “Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 283–286 |
| 3. |
А. Абрагам, Э. Гулициус, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb
гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 56–60  |
|
1990 |
| 4. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078 |
| 5. |
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 98–103 |
|
1989 |
| 6. |
А. А. Гусейнов, Б. Е. Джуртанов, A. M. Литвак, М. А. Мирсагатов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав$-$твердое тело
в системах A$^{3}$B$^{5}$ (на примере In$-$Ga$-$As$-$Sb)”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 67–73 |
|
1988 |
| 7. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев, “Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе
GaInAsSb”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1623–1626 |
| 8. |
А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Джуртанов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов
GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости
($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988), 1839–1843 |
| 9. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе
GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1671–1675 |
|
1987 |
| 10. |
Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев, “Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов”, ЖТФ, 57:2 (1987), 316–321 |
| 11. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. М. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 517–523 |
| 12. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, Ю. П. Яковлев, “Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 459–464 |
|
1986 |
| 13. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной
структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2217–2221 |
| 14. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986), 664–668 |
| 15. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 557–561 |
|
