Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сидоров Валерий Георгиевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 23
Научных статей: 23

Статистика просмотров:
Эта страница:128
Страницы публикаций:1624
Полные тексты:679
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:
Сайт: https://www.semicond.ru/sotrudniki/sidorov-valerij-georgievich

Основные темы научной работы

Оптоэлектронные приборы широкозонных полупроводников.

Научная биография:

Окончил Ленинград. политехн. ин-т.
В 1966-67 гг. - в асп. Института физики полупроводников СО АН СССР.
С 1967 г. - вновь в ЛПИ (СПбПУ).

Сидоров, Валерий Георгиевич. Исследование особенностей структуры энергетических зон в некоторых соединениях типа $A_{III} B_V$ с помощью измерений термоэдс и других явлений переноса : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.00.00. - Новосибирск, 1966. - 188 с. : ил.

1990 год — защита докт. дис. по теме «Физические процессы, определяющие эффективность и надёжность излучающих структур на основе соединений $A_3 B_5$».
   
Основные публикации:
  • Физико-технологические основы электроники / А. А. Барыбин, В. Г. Сидоров; Под общ. ред. А. А. Барыбина. - СПб. : Лань, 2001. - 268 с. : ил., табл.; 24 см.; ISBN 5-8114-0369-0

https://www.mathnet.ru/rus/person161085
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=41816

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  37–41  mathnet  elib; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Current generation in Pd/InP structures in hydrogen medium”, Semiconductors, 58:4 (2024), 349–353
2021
2. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1236–1239  mathnet  elib 1
2020
3. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия”, Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  603–606  mathnet  elib; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers”, Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 596–599 8
4. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, М. Е. Компан, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  547–551  mathnet  elib; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, M. E. Kompan, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures”, Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661 2
2019
5. В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Л. К. Власов, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430  mathnet  elib; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 7
6. Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  246–248  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent”, Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236 7
2018
7. Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 6
2016
8. В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201  mathnet  elib; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 8
1988
9. В. Л. Королев, В. Г. Сидоров, “Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1827–1830  mathnet
10. В. Л. Королев, В. Г. Сидоров, “Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1359–1364  mathnet
11. В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров, “Внешний квантовый выход светодиодов из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  532–534  mathnet
1986
12. В. В. Евстропов, Н. М. Стусь, Н. Н. Смирнова, Г. М. Филаретова, Л. М. Федоров, В. Г. Сидоров, “Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs $p{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  762–765  mathnet
13. А. Г. Дрижук, В. Г. Сидоров, “О природе однополярного возбуждения поляризованной электролюминесценции в GaN(Zn, O)”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  144–146  mathnet
1985
14. В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров, Ю. К. Шалабутов, “Эффективность люминесценции в компенсированном арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  934–936  mathnet
15. В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров, Ю. К. Шалабутов, “О роли хвостов плотности состояний в формировании спектров фото- и электролюминесценции в GaAs$\langle$Si$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  525–527  mathnet
1984
16. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040  mathnet
17. А. А. Гринсон, А. А. Гуткин, В. А. Касаткин, В. Г. Сидоров, С. Н. Шлихтов, “Влияние иттербия на образование радиационных дефектов в $p{-}n$-структурах из фосфида галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1890–1892  mathnet
18. В. Г. Сидоров, С. Н. Шлихтов, Ю. К. Шалабутов, “Влияние электрического поля на захват электронов глубоким донорным центром кислорода в фосфиде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1868–1870  mathnet
19. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416  mathnet
20. В. В. Россин, В. Г. Сидоров, “Влияние эффекта переизлучения на нестационарный фотоэффект”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1124–1126  mathnet
21. А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, И. С. Тарасов, Л. М. Федоров, “Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038  mathnet
22. В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров, “Исследование эффективности излучательной рекомбинации структур из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  635–638  mathnet
1983
23. А. А. Гуткин, Д. А. Дмитриева, В. Г. Сидоров, Э. А. Твирова, Ю. К. Шалабутов, С. Н. Шлихтов, “Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2046–2049  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025