|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, “Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1128–1132   ; P. A. Aleksandrov, E. K. Baranova, V. V. Budaragin, “Estimation of the efficiency of the introduction of a porous layer into a silicon-on-sapphire structure substrate to enhance the reliability of devices under irradiation”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1107–1111 |
1
|
|
1990 |
| 2. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, К. Д. Демаков, Е. В. Котов, А. П. Новиков, С. Г. Шемардов, “Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1132–1133 |
| 3. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, К. Д. Демаков, Е. В. Котов, С. Г. Шемардов, “Синтез аморфной пленки Si$_{3}$N$_{4}$ в процессе имплантации ионов
азота в кремний”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 43–45  |
|
1988 |
| 4. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, А. Е. Городецкий, К. Д. Демаков, О. Г. Кутукова, С. Г. Шемардов, “Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы
ионно-синтезированного SiC в Si”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 731–732 |
|
1987 |
| 5. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, “Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si
методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 920–922 |
|
1986 |
| 6. |
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев, “Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой
техники высокоинтенсивного ионного легирования”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 149–152 |
|
