|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, Ш. А. Юсупова, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1075–1078  |
|
1989 |
| 2. |
А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, X. С. Далиев, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2227–2229 |
| 3. |
К. П. Абдурахманов, М. В. Закс, В. В. Касаткин, Г. С. Куликов, С. К. Першеев, К. X. Ходжаев, “Исследование диффузии меди в профилированном кремнии, полученном
способом А.В. Степанова”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1891–1893 |
| 4. |
К. П. Абдурахманов, М. Д. Ходжаев, А. Т. Тешабаев, Т. А. Умаров, “Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1301–1303 |
|
1988 |
| 5. |
К. П. Абдурахманов, М. Б. Закс, В. В. Касаткин, Г. С. Куликов, С. К. Першеев, К. Х. Ходжаев, “Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом
А. В. Степанова”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2088–2090 |
| 6. |
К. П. Абдурахманов, Т. Шеримбетов, Ю. М. Добровинский, Х. У. Сагдуллаев, “Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной
интенсивностью”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 510–512 |
| 7. |
М. С. Аблова, У. Ж. Абдуманапов, К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, Д. П. Уткин-Эдин, К. X. Ходжаев, “Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси
фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного
гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 20–23 |
|
1986 |
| 8. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Д. Э. Назиров, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 185–186 |
|
1985 |
| 9. |
К. Х. Ходжаев, К. П. Абдурахманов, Ю. Я. Амиров, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, Д. П. Уткин-Эдин, “Растворимость олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном
фосфором”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2219–2220 |
| 10. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства
$n$-Si$\langle$Mn$\rangle$
с помощью DLTS”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1617–1619 |
| 11. |
Т. С. Камилов, К. П. Абдурахманов, М. Ш. Исаев, “Сэндвич-фоторезистор на основе
Si$\langle$Mn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1511–1512 |
| 12. |
К. Х. Ходжаев, К. П. Абдурахманов, Ю. Я. Амиров, В. А. Дидик, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, Д. П. Уткин-Эдин, “Диффузия олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном
фосфором”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1182–1185 |
| 13. |
К. П. Абдурахманов, Т. А. Умаров, А. Т. Тешабаев, М. Д. Ходжаев, “Некоторые особенности кинетики отжига термических центров в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1173–1175 |
| 14. |
Ю. Ф. Шульпяков, А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации
уровней Мn в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1159–1161 |
| 15. |
К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Взаимодействие кислорода с марганцем в
$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1158–1159 |
| 16. |
К. П. Абдурахманов, Б. А. Котов, Й. Крейсль, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 349–350 |
| 17. |
К. П. Абдурахманов, А. А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш. Б. Утамурадова, “Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 213–216 |
|
1983 |
| 18. |
К. П. Абдурахманов, Ш. Мирахмедов, С. Г. Таджи-Аглаева, “О некоторых особенностях дифференциальной проводимости туннельных
структур металл–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1850–1852 |
|
Обратная связь: