|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1183–1186   ; E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 |
6
|
|
2013 |
| 2. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, К. В. Калинина, Н. Д. Стоянов, Х. М. Салихов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1270–1275 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, Kh. M. Salikhov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “High-temperature luminescence in an $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb light-emitting heterostructure with a high potential barrier”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1258–1263 |
2
|
|
1992 |
| 3. |
Г. Г. Ковалевская, М. Мередов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, В. М. Фетисова, “Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd${-}p{-}p^{+}$-InP и изменение их в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1750–1754 |
|
1991 |
| 4. |
А. И. Андрушко, А. В. Пенцов, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1686–1690 |
| 5. |
Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, А. В. Пенцов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Токи двойной инжекции и фототок в диодных
структурах Pd${-}p{-}p^{+}{-}$InP”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1466–1468 |
| 6. |
С. В. Слободчиков, Г. Г. Ковалевская, М. М. Мередов, А. В. Пенцов, Е. В. Руссу, Х. М. Салихов, “Фотодетектор на основе InGaAs
как детектор водорода”, Письма в ЖТФ, 17:15 (1991), 1–4 |
|
1988 |
| 7. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “Поверхностно-барьерные структуры
Au${-}p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1528–1529 |
| 8. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “О механизмах рекомбинации носителей тока
в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 789–792 |
|
1986 |
| 9. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных
диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2195–2198 |
| 10. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, Г. Н. Талалакин, Г. М. Филаретова, “О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As,
легированных Zn и Mn”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 537–538 |
| 11. |
А. И. Андрушко, Х. М. Салихов, С. В. Слободчиков, “О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 403–406 |
|
