| Основные публикации: |
- Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников / В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов. - Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского ун-та, 1992. - 195 с.; ISBN 5-230-04179-X
- Базовые технологии микро- и наноэлектроники : учеб. пос. для студ. спец. 210104 / В. М. Воротынцев, В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов; - Нижний Новгород : Нижегородский гос. технический ун-т, 2006. - 356 с.; ISBN 5-93272-364-5
|
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
| 1. |
В. Д. Скупов, Г. А. Цыпкин, В. Г. Шенгуров, “Влияние гидростатического давления на характеристики диодов
с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 554–556  |
| 2. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, Г. В. Шенгуров, “Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект
дальнодействия при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 15:22 (1989), 44–47  |
|
1988 |
| 3. |
Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн
при распространении в кристалле с кластерами дефектов”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 273–276 |
|
1987 |
| 4. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1495–1497 |
|
1986 |
| 5. |
Ю. В. Павлов, Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке,
на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 503–507 |
|
1985 |
| 6. |
Н. П. Морозов, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке
за пределами области пробега ионов”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 464–468 |
|
Обратная связь: