|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
1. |
В. Д. Скупов, Г. А. Цыпкин, В. Г. Шенгуров, “Влияние гидростатического давления на характеристики диодов
с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 554–556 |
2. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, Г. В. Шенгуров, “Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект
дальнодействия при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 15:22 (1989), 44–47 |
|
1988 |
3. |
Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн
при распространении в кристалле с кластерами дефектов”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 273–276 |
|
1987 |
4. |
В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1495–1497 |
|
1986 |
5. |
Ю. В. Павлов, Ю. А. Семин, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке,
на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 503–507 |
|
1985 |
6. |
Н. П. Морозов, В. Д. Скупов, Д. И. Тетельбаум, “Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке
за пределами области пробега ионов”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 464–468 |
|