|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский, “Твердые растворы In$_{x}$Al$_{1-x}$N: проблемы стабильности состава”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1733–1739   ; V. N. Brudnyi, M. D. Vilisova, L. E. Velikovskiy, “In$_{x}$Al$_{1-x}$N solid solutions: Composition stability issues”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1724–1730 |
2
|
|
2015 |
| 2. |
С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Ю. Н. Журавлев, “Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe”, Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1693–1697 ; S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi, Yu. N. Zhuravlev, “Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1735–1740 |
7
|
| 3. |
В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, “Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1351–1354 ; V. N. Brudnyi, S. Yu. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, “On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered $\varepsilon$-GaSe semiconductor”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1307–1310 |
1
|
| 4. |
В. М. Бойко, В. Н. Брудный, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, “Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 782–785 ; V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, “On the electronic properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its charge neutrality level”, Semiconductors, 49:6 (2015), 763–766 |
2
|
|
2014 |
| 5. |
В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, “Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 885–889 ; V. M. Boiko, V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov, “Electronic properties of $p$-GaN(Mg) irradiated with reactor neutrons”, Semiconductors, 48:7 (2014), 859–863 |
1
|
|
2012 |
| 6. |
В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, “Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 450–456 ; V. N. Brudnyi, S. S. Verevkin, A. V. Govorkov, V. S. Ermakov, N. G. Kolin, A. V. Korulin, A. Ya. Polyakov, N. B. Smirnov, “Electronic properties and deep traps in electron-irradiated $n$-GaN”, Semiconductors, 46:4 (2012), 433–439 |
6
|
|
1989 |
| 7. |
Н. Н. Бакин, В. Н. Брудный, В. В. Пешев, С. В. Смородинов, “Образование центров E10
(${E_{c}-0.62}$ эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме
$n$-InP при электронном и $\gamma$-облучениях”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 890–892 |
|
1988 |
| 8. |
В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. М. Притулов, “Накопление E3-центров в $n$-GaAs при $\gamma$-облучении в интервале
температур ${77\div580}$ K”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1124–1126 |
|
1986 |
| 9. |
В. Н. Брудный, А. А. Цой, “Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами
полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 511–514 |
|
1985 |
| 10. |
В. Н. Брудный, В. А. Новиков, “« Предельные» электрические параметры GaP, облученного
электронами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 747–749 |
|
1984 |
| 11. |
В. Н. Брудный, С. Е. Ерматов, С. Б. Нурмагамбетов, А. Д. Погребняк, В. Т. Толебаев, “Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами $\alpha$-SiC (6$H$)”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1452–1456  |
|
1983 |
| 12. |
В. Н. Брудный, А. И. Потапов, Ю. В. Рудь, М. Сергинов, “Электрическте свойства твердых растворов
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$,
облученных ионами H$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1347–1348 |
|
|
|
2012 |
| 13. |
В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гощицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский, А. А. Стук, В. А. Харченко, “Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1374–1375 |
|
