|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123   ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
5
|
|
2012 |
| 3. |
Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ф. Е. Латышев, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1054–1062 ; N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, F. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, “Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1032–1039 |
10
|
|
1991 |
| 4. |
А. С. Зубрилов, С. В. Ковешников, “Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование
и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда
при $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1332–1338 |
| 5. |
М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах
и влияние на них глубоких центров”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 479–486 |
|
1989 |
| 6. |
А. С. Зубрилов, О. А. Котин, В. Б. Шуман, “Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 607–611 |
|
1987 |
| 7. |
А. С. Зубрилов, В. Б. Шуман, “Лавинный пробой при больших плотностях тока”, ЖТФ, 57:9 (1987), 1843–1845  |
|
1986 |
| 8. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 532–534 |
|
1983 |
| 9. |
А. С. Зубрилов, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман, “Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 474–478 |
|
