|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида
галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 82–87  |
|
1990 |
| 2. |
Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Понижение термической стабильности
комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1363–1366 |
|
1987 |
| 3. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса
люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1659–1663 |
|
1986 |
| 4. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК
эпитаксиальных слоев
$p$-GaAs(Si)”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1874–1877 |
| 5. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Взаимодействие радиационных дефектов с атомами хрома в арсениде
галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 567–569 |
|
1985 |
| 6. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции,
обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах
$V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1326–1328 |
| 7. |
К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, “Увеличение концентрации центров тушения люминесценции
при отжиге облученных электронами кристаллов арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1163–1164 |
|
