Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мездрогина Маргарита Михайловна
доктор физико-математических наук (1995)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Мездрогина, Маргарита Михайловна. Определение поверхностного натяжения жидких металлов, удерживаемых электромагнитным полем во взвешенном состоянии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.00.00 / М.М. Мездрогина. - Ленинград, 1972. - 133 с. : ил.

Мездрогина, Маргарита Михайловна. Трансформирование неупорядоченной структурной сетки и влияние примесей на свойства плёнок аморфного гидрированного кремния : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1995. - 286 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person162017
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=21561

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, Е. А. Борсук, “Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра”, ЖТФ, 90:3 (2020),  456–461  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, E. A. Borsuk, “LED structures based on ZnO films obtained by RF magnetron sputtering for the UV spectral range”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 434–439 1
2. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  18–21  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Parameters of ZnO semiconductor films doped with Mn and Fe 3$d$ impurities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 15–18
2018
3. М. М. Мездрогина, А. С. Агликов, В. Г. Семенов, Ю. В. Кожанова, С. Г. Нефедов, Л. А. Шелухин, В. В. Павлов, “Рост, структурные, магнитные и магнитооптические свойства пленок ZnO, легированных 3$d$-примесью Fe$^{57}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018),  596–602  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. S. Aglikov, V. G. Semenov, Yu. V. Kozhanova, S. G. Nefedov, L. A. Shelukhin, V. V. Pavlov, “Growth and structural, magnetic, and magnetooptical properties of ZnO films doped with a Fe$^{57}$ 3$d$ impurity”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 603–609 1
4. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, В. С. Левицкий, “Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO”, ЖТФ, 88:4 (2018),  566–571  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, V. S. Levitskii, “Influence of silver and gold nanoparticles and thin layers on charge carrier generation in InGaN/GaN multiple quantum well structures and crystalline zinc oxide films”, Tech. Phys., 63:4 (2018), 551–556
5. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1115–1119  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Formation of luminescence spectra and emission intensity in the UV and visible spectral regions for $n$-ZnO/$p$-GaN and $n$-ZnO/$p$-ZnO structures when depositing ZnO films by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1233–1237 3
2017
6. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, В. С. Левицкий, Е. Е. Терукова, Ю. В. Кожанова, А. С. Агликов, “Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  588–593  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, V. S. Levitskii, E. E. Terukova, Yu. V. Kozhanova, A. S. Aglikov, “Parameters of ZnO films with $p$-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 51:5 (2017), 559–564 3
2016
7. М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1325–1332  mathnet  elib 3
2015
8. М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, Ю. В. Кожанова, “Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm”, ЖТФ, 85:9 (2015),  97–104  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, Yu. V. Kozhanova, “Photoinduced defects in $a$-Si:H Films and InGaN/GaN multiple quantum well structures doped with Eu, Sm, and Eu + Sm”, Tech. Phys., 60:9 (2015), 1353–1360
9. М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, В. С. Левицкий, В. Н. Петров, Е. И. Теруков, Е. М. Кайдашев, Н. В. Лянгузов, “Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1521–1530  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, M. V. Eremenko, V. S. Levitskii, V. N. Petrov, E. I. Terukov, E. M. Kaidashev, N. V. Lyanguzov, “Effect of self-organization, defects, impurities, and autocatalytic processes on the parameters of ZnO films and nanorods”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1473–1482 7
10. М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, А. Н. Смирнов, В. Н. Петров, Е. И. Теруков, “Интенсивность излучения линии $\lambda$ = 1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1016–1023  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, M. V. Eremenko, A. N. Smirnov, V. N. Petrov, E. I. Terukov, “Emission intensity of the $\lambda$ = 1.54 $\mu$m line in ZnO films grown by magnetron sputtering, diffusion doped with Ce, Yb, Er”, Semiconductors, 49:8 (2015), 992–999 5
2013
11. М. М. Мездрогина, Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев, Ю. В. Кожанова, “Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm”, Физика твердого тела, 55:5 (2013),  962–967  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, E. S. Moskalenko, N. K. Poletaev, Yu. V. Kozhanova, “Influence of the magnetic field strength and excitation intensity on the shape of microphotoluminescence spectra of quantum-well structures based on GaN/InGaN doped with Sm and Eu+Sm”, Phys. Solid State, 55:5 (2013), 1043–1049 1
12. М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин, “Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1204–1209  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, L. S. Kostina, E. I. Belyakova, R. V. Kuz'min, “Emission intensity in the visible and IR spectral ranges from Si-based structures formed by direct bonding with simultaneous doping with erbium (Er) and europium (Eu)”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1193–1197 2
13. М. М. Мездрогина, Ю. В. Кожанова, “Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  480–489  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, Yu. V. Kozhanova, “Metastable states in InGaN/GaN MQW structures doped with Sm, Eu, and Eu + Sm”, Semiconductors, 47:4 (2013), 501–510
2012
14. М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, Е. И. Теруков, Ю. В. Кожанова, “Интенсивность излучения внутрицентровых 4$f$-переходов в пленках $a$-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  925–936  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, M. V. Eremenko, E. I. Terukov, Yu. V. Kozhanova, “Intensity of emission from intracenter 4$f$-transitions in $a$-Si:H, ZnO, and GaN films doped with rare-earth ions”, Semiconductors, 46:7 (2012), 901–912 4
2011
15. Ю. В. Тубольцев, М. М. Мездрогина, Е. М. Хилькевич, Ю. В. Чичагов, Н. К. Полетаев, Р. В. Кузьмин, “Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов”, ЖТФ, 81:9 (2011),  77–81  mathnet  elib; Yu. V. Tuboltsev, M. M. Mezdrogina, E. M. Khilkevich, Yu. V. Chichagov, N. K. Poletaev, R. V. Kuz'min, “Setup for taking the radiation spectra of wideband semiconductors”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1297–1301
1992
16. М. М. Мездрогина, О. А. Голикова, М. М. Казанин, Г. Юшка, К. Арлаускас, У. С. Бабаходжаев, Р. Г. Икрамов, “Параметры фотопреобразователей на основе пленок аморфного гидрированного кремния, полученного в тетродной системе”, ЖТФ, 62:1 (1992),  108–112  mathnet  isi
17. О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, А. П. Соколов, А. П. Шебанин, “Структурная сетка $\alpha$-Si : H, легированного бором, и транспорт дырок”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  960–962  mathnet
18. О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, В. В. Дубро, Р. Г. Икрамов, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, Р. Р. Яфаев, “Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  66–70  mathnet
1991
19. О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1448–1450  mathnet
20. О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Арлаускас, Г. Юшка, “Удельные сдвиги носителей тока и плотность состояний аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  551–553  mathnet
21. О. А. Голикова, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, Н. Б. Захарова, И. И. Ятлинко, И. Н. Петров, “Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния методом видикона”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  170–171  mathnet
22. О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, “Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  102–105  mathnet
1990
23. В. Н. Новиков, А. П. Соколов, О. А. Голикова, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, “Механизм возникновения аномальной спектральной зависимости оптического поглощения в аморфном кремнии”, Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1515–1517  mathnet  isi
24. О. А. Голикова, У. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Арлаускас, Г. Юшка, “Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1190–1193  mathnet
25. Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, “Фоточувствительность $p{-}i{-}n$ структур и структур с барьером Шоттки на основе $a$-Si : H в области УФ излучения”, Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  47–50  mathnet  isi
1989
26. О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. X. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, У. С. Бабаходжаев, “Эффект псевдолегирования аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1737–1740  mathnet
27. А. Р. Регель, У. Ж. Абдуманапов, В. А. Васильев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1552–1555  mathnet
28. О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  450–455  mathnet
29. О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, И. Н. Петров, М. М. Казанин, К. Л. Сорокина, “Мишени видикона на основе аморфного гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 15:4 (1989),  85–87  mathnet  isi
1988
30. А. Р. Регель, П. П. Серегин, П. А. Андреев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, “Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1856–1859  mathnet
31. В. И. Стриха, В. В. Ильченко, М. М. Мездрогина, А. А. Андреев, “Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  461–464  mathnet
32. А. Р. Регель, П. П. Серегин, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, М. С. Аблова, У. Ж. Абдуманапов, “Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  161–164  mathnet
1987
33. О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, В. Х. Кудоярова, П. П. Серегин, “О легировании аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1464–1466  mathnet
1986
34. Ф. С. Насрединов, М. М. Мездрогина, В. П. Подхалюзин, П. П. Серегин, “Мёссбауэровское исследование примесных атомов железа в аморфном кремнии”, Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2543–2546  mathnet  isi
35. О. А. Голикова, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, Н. А. Феоктистов, “Плотность состояний гидрированного аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1912–1914  mathnet
1985
36. А. А. Андреев, В. О. Абрамов, А. И. Косарев, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, Н. А. Феоктистов, В. Ю. Флоринский, “О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  28–31  mathnet  isi
1984
37. В. А. Терехов, О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, С. Н. Тростянский, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, “Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1897–1899  mathnet
38. А. А. Андреев, О. А. Голикова, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман, М. М. Мездрогина, В. С. Рубин, Н. А. Феоктистов, “О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  373–376  mathnet
1983
39. О. А. Голикова, А. А. Андреев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, Н. А. Феоктистов, “О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1255–1258  mathnet

Организации