Заитов Ф.А., Исаев Ф.К. оглы, Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. - Баку : Азернешр, 1984. - 211 с.
Радиационная стойкость в оптоэлектронике / [Ф. А. Заитов, Н. Н. Литвинова, В. Г. Савицкий, В. Г. Средин]; Под ред. В. Г. Средина. - Москва : Воениздат, 1987. - 167 с.
В. П. Власов, Ф. А. Заитов, В. М. Каневский, А. А. Пурцхванидзе, Г. М. Шаляпина, “О миграции индия в CdHgTe после воздействия импульсным магнитным полем”, Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3264–3265
1991
2.
Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, Ф. А. Заитов, В. П. Киреенко, В. Б. Яржембицкий, “Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в $p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1999–2002
1989
3.
А. З. Абасова, Ф. А. Заитов, А. В. Любченко, С. Султанмурадов, “Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных
структурах на основе селенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 152–155
1987
4.
Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2082–2084
5.
Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин, С. Ю. Юрчук, Ф. А. Заитов, “Электрофизические и фотоэлектрические характеристики
$p{-}n$-переходов, изготовленных имплантацией бериллия
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1901–1904
1986
6.
Е. П. Скипетров, В. В. Дмитриев, Ф. А. Заитов, Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин, “Электрофизические свойства антимонида индия $n$-типа, облученного
быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1787–1790
7.
А. З. Абасова, Ф. А. Заитов, О. В. Рычкова, А. Э. Юнович, “Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов
GaSe, облученных $\gamma$-квантами”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 613–618
1985
8.
Ш. Б. Атакулов, Ф. А. Заитов, Ю. В. Матершев, К. Э. Онаркулов, А. Е. Шавров, “О диффузионном характере радиационной деградации фотопроводящих
пленок сернистого свинца”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2088–2091
1984
9.
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, С. Б. Шангин, Г. М. Шаляпина, И. С. Асатурова, “Механизмы миграции компонентов и примесей в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3233–3239
10.
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, С. Б. Шангин, Г. М. Шаляпина, И. Н. Петров, И. С. Асатурова, “Диффузия компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$)”, Физика твердого тела, 26:10 (1984), 2960–2967
11.
И. Я. Дехтяр, М. И. Дехтяр, В. В. Дякин, Ф. А. Заитов, А. И. Власенко, С. П. Лихторович, А. А. Любченко, С. Г. Сахарова, В. И. Силантьев, Р. Г. Федченко, “Позитронная аннигиляция в облученных кристаллах
CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1970–1974
12.
Ш. Б. Атакулов, Ф. А. Заитов, В. П. Шабалов, “Электрические свойства поликристаллических пленок Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$
при $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1095–1098
1983
13.
А. В. Горшков, Ф. А. Заитов, Г. М. Шаляпина, С. Б. Шангин, “Механизм миграции индия в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2662–2666
14.
Ф. А. Заитов, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, В. С. Штым, М. И. Шубак, “Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1490–1492
