|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. П. Махний, Н. Д. Вахняк, О. В. Кинзерская, Ю. П. Пирятинский, “Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 329–331   ; V. P. Makhniy, N. D. Vakhnyak, O. V. Kinzerska, Yu. P. Piryatinskii, “Luminescence of (ZnSe:Al):Yb сrystals at 4.2 K”, Semiconductors, 53:3 (2019), 310–312 |
|
2014 |
| 2. |
В. П. Махний, И. И. Герман, О. А. Парфенюк, “Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1467–1468 ; V. P. Makhniy, I. I. German, O. A. Parfenyuk, “Hall effect in CdTe crystals doped with Sn from the vapor phase”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1432–1433 |
| 3. |
В. П. Махний, A. М. Слетов, Е. В. Стец, “Природа голубой полосы излучения в ZnSe с изовалентной примесью S”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1192–1193 ; V. P. Makhniy, A. M. Slyotov, E. V. Stez, “Nature of the blue emission band in zinc selenide containing sulfur isovalent impurity”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1161–1162 |
|
2012 |
| 4. |
В. П. Махний, О. В. Кинзерская, “Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинка”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 150–151 ; V. P. Makhniy, O. V. Kinzerska, “Determination of the ionization energy of vanadium levels in zinc selenide”, Semiconductors, 46:2 (2012), 141–142 |
1
|
|
2011 |
| 5. |
В. П. Махний, В. В. Мельник, И. Г. Орлецкий, “Детектор ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO$_2$–ZnSe”, Письма в ЖТФ, 37:8 (2011), 21–25 ; V. P. Makhniy, V. V. Mel'nik, I. G. Orletskii, “UV detector with internal gain based on SnO$_2$–ZnSe heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 37:4 (2011), 354–355 |
|
1992 |
| 6. |
В. П. Махний, В. В. Мельник, Б. М. Собищанский, “Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1140–1141 |
|
1991 |
| 7. |
В. Е. Баранюк, В. П. Махний, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов
сульфид$-$теллурид кадмия”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 217–221 |
| 8. |
В. П. Махний, “Полупроводниковый излучатель с повышенной температурной стабильностью”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 17–21  |
|
1990 |
| 9. |
В. П. Махний, А. И. Малик, В. В. Мельник, “«Солнечно-слепой» фотодиод на основе гетероструктуры
ITO$-$ZnS”, ЖТФ, 60:9 (1990), 146–147 |
|
1988 |
| 10. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из
измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1852–1855 |
| 11. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах
Au$-$ZnS”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1651–1656 |
| 12. |
О. П. Вербицкий, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, В. Д. Рыжиков, “Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры
селенид$-$теллурид цинка”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 702–705 |
|
1987 |
| 13. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2087–2090 |
|
1986 |
| 14. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области
объемного заряда Au$-$ZnS-диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 619–624 |
|
1984 |
| 15. |
Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1285–1287 |
|
