|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1990 |
| 1. |
Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, А. В. Цикунов, “Влияние деформационных напряжений границы раздела
Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 517–520  |
|
1989 |
| 2. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 748–751 |
| 3. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах
в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 722–725 |
|
1986 |
| 4. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, В. В. Шуша, “Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 767–770 |
|
1984 |
| 5. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, “Радиационное изменение времени жизни носителей заряда
в дислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 543–545 |
|
