|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
И. И. Колковский, В. Ф. Латышенко, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 176–180  |
|
1989 |
| 2. |
И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Особенности образования рекомбинационных центров
при облучении бездислокационного $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 885–887 |
|
1987 |
| 3. |
И. И. Колковский, В. В. Шуша, “Особенности отжига рекомбинационных центров в нейтронно легированном
кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1974–1977 |
|
1986 |
| 4. |
П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, В. В. Шуша, “Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном
$p$-кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1894–1897 |
| 5. |
И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша, “Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно
легированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 964–967 |
| 6. |
Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, В. В. Шуша, “Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 767–770 |
|
