|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
С. И. Кириллова, М. Д. Моин, В. Е. Примаченко, С. В. Свечников, В. А. Чернобай, И. Н. Дубров, “Изменение электронных свойств системы Si$-$SiO$_{2}$ при лазерном облучении”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1399–1404  |
|
1990 |
| 2. |
И. Н. Дубров, С. И. Козловский, Ю. М. Коростышевский, М. Д. Моин, “Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия
при лазерном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 763–766 |
|
1986 |
| 3. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечный фотовольтаический эффект в кремнии, обусловленный
междолинным диффузионным перезаселением электронов
при лазерном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 806–810 |
|
1985 |
| 4. |
Н. А. Давыдова, Н. Е. Корсунская, М. Д. Моин, И. Ю. Шаблий, “Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS”, Физика твердого тела, 27:3 (1985), 767–771  |
| 5. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечная фотоэдс, возникающая в германии при экстремальных уровнях
лазерного возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 864–868 |
|
1984 |
| 6. |
М. Д. Моин, “Кинетика образования дефектов и испарения твердого тела под действием лазерного излучения”, Физика твердого тела, 26:9 (1984), 2742–2748 |
| 7. |
С. И. Козловский, М. Д. Моин, “Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий
при лазерном
возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной
зоны полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1772–1777 |
|
