|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. Н. Ормонт, И. А. Курова, “Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 367–370   ; N. N. Ormont, I. A. Kurova, “Modification of the photoelectric properties of undoped hydrogenated amorphous silicon films under preliminary illumination at elevated temperatures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 437–440 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 440–442 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Modification of the thermal relaxation kinetics of the photoinduced (at $T$ = 425 K) metastable dark conductivity of $a$-Si:H films by weak illumination during the initial stage of relaxation”, Semiconductors, 51:4 (2017), 417–419 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H, освещенных при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 603–605 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Light-induced relaxation of the metastable conductivity of undoped $a$-Si:H films illuminated at elevated temperatures”, Semiconductors, 49:5 (2015), 590–592 |
2
|
|
2013 |
| 4. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 757–760 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “On the photoinduced effect in undoped $a$-Si:H films”, Semiconductors, 47:6 (2013), 767–770 |
3
|
|
2012 |
| 5. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 330–333 ; I. A. Kurova, N. N. Ormont, “Specific features of recombination in layered $a$-Si:H films”, Semiconductors, 46:3 (2012), 315–318 |
|
1990 |
| 6. |
И. П. Звягин, И. А. Курова, Н. В. Мелешко, Н. Н. Ормонт, “Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции
фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1992–1994 |
| 7. |
И. П. Звягин, И. А. Курова, Н. В. Мелешко, Н. Н. Ормонт, “О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных
пленках $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1726–1731 |
| 8. |
И. А. Курова, Д. А. Мочалова, “Метастабильные состояния в пленках $a$-Si : H, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 314–317 |
|
1989 |
| 9. |
И. А. Курова, Н. В. Мелешко, Н. Н. Ормонт, А. Н. Лупачева, “Кинетика эффекта Стеблера$-$Вронского в нелегированных пленках
$a$-Si : Н”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2030–2033 |
| 10. |
И. А. Курова, Д. А. Мочалова, А. Н. Лупачева, “Аномальный эффект Стеблера$-$Вронского в легированных бором пленках
$a$-Si : Н”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 573–575 |
|
1988 |
| 11. |
Н. В. Елькин, И. П. Звягин, О. Е. Коробов, И. А. Курова, А. Н. Лупачева, “Влияние освещения на проводимость легированных пленок $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 943–947 |
|
1987 |
| 12. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, К. Б. Читая, “О кинетике образования оборванных связей в пленках
$a$-Si : Н”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 700–702 |
|
1986 |
| 13. |
И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, А. Н. Каррыев, И. А. Курова, К. Б. Читая, “Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H
с имплантированными ионами фосфора и бора”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 818–821 |
|
1985 |
| 14. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Э. М. Омельяновский, С. А. Фуксина, “ИК фотопроводимость
$a$-Si : Н в условиях собственной подсветки”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 44–47 |
|
1983 |
| 15. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, А. Г. Казанский, В. С. Вавилов, “Спектральные зависимости фотопроводимости
$a$-Si : Н в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1526–1528 |
| 16. |
В. С. Вавилов, А. Г. Казанский, И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1311–1313 |
| 17. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Фотопроводимость $n$-германия с «отталкивающими» примесными
центрами при энергии кванта света, меньшей их термической энергии ионизации”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 549–551 |
|
