|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий, “Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055   ; I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, M. N. Solovan, P. D. Mar'yanchuk, O. A. Parfenyuk, E. V. Maistruk, S. V. Nichyi, “Electrical properties and energy parameters of $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te heterojunctions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1171–1177 |
10
|
| 2. |
О. Г. Грушка, С. М. Чупыра, С. В. Биличук, О. А. Парфенюк, “Электронные процессы в кристаллах CdIn$_{2}$Te$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 840–843 ; O. G. Grushka, S. M. Chupyra, S. V. Bilichuk, O. A. Parfenyuk, “Electronic processes in CdIn$_{2}$Te$_{4}$ crystals”, Semiconductors, 52:8 (2018), 973–976 |
2
|
|
2014 |
| 3. |
В. П. Махний, И. И. Герман, О. А. Парфенюк, “Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1467–1468 ; V. P. Makhniy, I. I. German, O. A. Parfenyuk, “Hall effect in CdTe crystals doped with Sn from the vapor phase”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1432–1433 |
|
1991 |
| 4. |
П. П. Бейсюк, А. В. Савицкий, М. И. Илащук, Н. И. Руснак, В. И. Власюк, О. А. Парфенюк, “Равновесные свойства твердых растворов Cd$_{1-x}$Mg$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 961–964 |
|
1990 |
| 5. |
П. И. Бабий, В. В. Слынько, Ю. П. Гнатенко, П. Н. Букивский, М. И. Илащук, О. А. Парфенюк, “Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1444–1448 |
|
1986 |
| 6. |
М. И. Илащук, В. В. Матлак, О. А. Парфенюк, А. В. Савицкий, “Особенности комплексообразования в $p$-CdTe при значительных
концентрациях собственных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 849–852 |
|
